Увеличение - электронная концентрация
Cтраница 1
 |
Микроструктура поверхности раздела а-пластин. Сплав ВТ-1, угольная реплика, ХЗООО. [1] |
Увеличение электронной концентрации может привести к возрастанию сил связи в кристаллической решетке и энергии образования вакансий. Как предполагал Кристиан, параметры диффузии в титане и его сплавах меняются в зависимости от количества эффективно свободных электронов, приходящихся на один атом, Исследования методом авторадиографии ( например, ( 293 ]) косого среза показали, что увеличение концентрации кислорода в титановых сплавах ( технический титан, титан с 5 % А1, титан с 12 % Мп) приводит к замедлению диффузии никеля на 1 - 2 порядка. Правда, в данном случае диффузия исследовалась не в а -, а в р-области при 1000 - 1075 С. [2]
Металлизация атомов неметалла способствует увеличению электронной концентрации в решетке переходного металла, деформированной в процессе внедрения, что приводит к заполнению вакантных состояний в rf - зоне металла, и усилению ковалентности связи. При этом образуются прочные гибридные rfsp - связи с участием rf - электронов переходного металла и яр-электронов внедряющихся атомов. Сами же эти металлы не являются наиболее тугоплавкими в своих рядах. В то же время карбиды и нитриды хрома, молибдена и вольфрама, обладающих максимальными температурами плавления, относительно менее тугоплавки. Это можно объяснить тем, что в самих металлах VIB-группы ковалентность максимальна, дефицит электронов ощущается не столь остро и электроны внедряемых атомов способствуют главным образом металлизации связи. [3]
Металлизация атомов неметалла способствует увеличению электронной концентрации в решетке переходного металла, деформированной в процессе внедрения, что приводит к заполнению вакантных состояний в rf - зоне металла и усилению ковалентности связи. При этом образуются прочные гибридные rfsp - связи с участием rf - электронов переходного металла и sp - электронов внедряющихся атомов. Сами же эти металлы не являются наиболее тугоплавкими в своих рядах. В то же время карбиды и нитриды хрома, молибдена и вольфрама, обладающих максимальными температурами плавления, относительно менее тугоплавки. Это можно объяснить тем, что в самих металлах VIB-группы ковалентность максимальна, дефицит электронов ощущается не столь остро и электроны внедряемых атомов способствуют главным образом металлизации связи. [4]
Однако решающее значение при этом имеет увеличение электронной концентрации. В полупроводниках, например кремнии, германии, теллуре и графите, разрыв ( АЕ) между занятыми и свободными зонами невелик - около 1 6 - 10 - 19 дж ( 1 00 эв) и менее, и тепловое возбуждение в состоянии перевести электроны через этот барьер в пустую зону. Такие материалы с повышением температуры становятся проводниками. Чем больше разрыв, тем выше должна быть температура, при которой достигается достаточная концентрация электронов проводимости. При комнатной температуре энергия тепловых колебаний ( kT) составляет 4 - 10 - 21 дж ( 0 025 эв), и за счет флуктуации энергии достаточное количество электронов получит энергию АЕ - 1 6 - 10 - 19 дж ( 1 0 эв), необходимую для появления заметного тока. В изоляторах разрыв слишком велик для возникновения проводимости за счет тепловой энергии. [5]
По данным [26] аномальный диамагнетизм индия исчезает при увеличении электронной концентрации сплавов на 2 %, а магнитная восприимчивость параллельно оси с ( хц) сплавов с 0 - 4 ат. [6]
 |
Модули нормальной упругости ( Е, сдвига ( G и объемные мо-дулп ( К металлов больших периодов. [7] |
Упругие модули возрастают от I к VI - VIII группам по мере увеличения электронной концентрации, а затем с уменьшением ее при переходе к металлам I, II групп величина упругого модуля падает. [8]
 |
Коэффициенты термического расширения переходных металлов.| Сжимаемость металлов. [9] |
Упругие модули возрастают от щелочных металлов к высоковалентным металлам VIII группы по мере увеличения электронной концентрации, а затем с уменьшением числа коллективизированных электронов до 1 эл / атом при переходе к металлам I группы величина упругого модуля падает. [10]
Отсюда следует, что порог оптического поглощения перемещается в сторону коротких волн с увеличением электронной концентрации. [11]
В частности, Лавес и Витте [68] показали, что электронная концентрация определяет, какая из трех описанных структур образуется в псевдобинарных системах MgCu2 и MgZn2 с алюминием, серебром и кремнием. При увеличении электронной концентрации в псевдобинарных разрезах в качестве промежуточных тройных фаз образуются одна или обе гексагональные фазы Лавеса. [12]
В карбидах при электронной концентрации, соответствующей стехиометрическим карбидам металлов IV группы ( квэ 8), формируется новая электронная полоса. Плотность состояний в ней монотонно возрастает с увеличением электронной концентрации. Эта новая полоса - широкая полоса проводимости с низкой плотностью состояний, разделяющая связующую и антисвязующую подполосы зонной структуры. [13]
Элементы с атомным радиусом, отличающимся менее чем на 8 % от атомного радиуса железа, образуют в сплавах с ним твердые растворы замещения с широкими границами взаимной растворимости. Полная же взаимная растворимость в твердом состоянии наблюдается в том случае, если введение легирующего элемента не сопровождается изменением концентрации валентных электронов, приходящихся на каждый атом сплава ( железо и легирующий элемент им ют одинаковую валентность), или увеличение электронной концентрации при вве-де. [14]
При образовании твердых растворов происходит деформация решетки металла-растворителя-энергетическая и объемная. Энергетическая деформация решетки вызывается растворением элементов, обладающих большим количеством валентных электронов, чем растворитель. Это объясняется увеличением числа свободных электронов в решетке, или, как говорят, увеличением электронной концентрации. [15]
Страницы: 1 2