Увеличение - внешнее напряжение
Cтраница 1
Увеличение внешнего напряжения выше предела текучести не изменяет линейную зависимость 8 f ( a), что говорит о незначительной роли ползучести при у-э-е-превращении. [1]
С увеличением внешнего напряжения, приложенного к эмиттерному переходу в прямом направлении, больше носителей инжектируется в базу и большей становится вероятность их рекомбинации. Вследствие этого ток базы возрастает. С увеличением напряжения на коллекторе характеристики сдвигаются вправо. Вероятность рекомбинации носителей заряда в области базы уменьшается, вследствие чего уменьшается ток базы и характеристика смещается вниз. [2]
 |
Вольт-амперная характеристика р - / г-перехода. [3] |
При увеличении внешнего напряжения в прямом направлении ширина перехода уменьшается, а концентрация носителей заряда увеличивается; при возрастании напряжения в обратном направлении ширина перехода увеличивается, а концентрация носителей уменьшается. [4]
При увеличении внешнего напряжения, приложенного к эмиттерному переходу в прямом направлении, ток эмиттера 1а возрастает, и наоборот. [5]
При увеличении внешнего напряжения потенциал катода сначала быстро увеличивается. Это продолжается до тех пор, пока не начнется катодный процесс, например выделение металла, или какой-нибудь другой процесс электролитического восстановления. Так же как и в случае стационарного электрода ( см. рис. 111), ток может теперь увеличиваться при сравнительно малом возрастании потенциала до тех пор, пока не будет достигнут предельный ток, величина которого зависит от характера происходящего восстановительного процесса. В результате непрерывного увеличения приложенного напряжения катодный потенциал снова начинает сильно возрастать до тех пор, пока не сможет начаться новый процесс восстановления; тогда ток снова возрастает до предельного значения. Каждая волна отвечает определенному процессу электролитического восстановления. [6]
 |
Спектральные характеристики промышленных фотоэлементов и человеческого глаза. [7] |
При увеличении внешнего напряжения Ua часть электронов из электронного облака будет притянута к аноду. [8]
По мере увеличения внешнего напряжения остается все меньше подвижных носителей, способных преодолеть возрастающее тормозящее электрическое поле, и поэтому диффузионный ток через переход с увеличением обратного напряжения быстро стремится к нулю. [9]
 |
Обратное направление.| Прямое направление р-п-перехода. [10] |
По мере увеличения внешнего напряжения остается все меньше подвижных носителей, способных преодолеть возрастающее тормозящее электрическое поле, и поэтому диффузионный ток через переход с увеличением обратного напряжения стремится к нулю. [11]
По мере увеличения внешнего напряжения результирующий ток через переход может возрасти до больших значений, так как градиент концентрации носителей заряда в переходе и возможный диффузионный ток через переход очень велики. [12]
По мере увеличения внешнего напряжения толщина запирающего слоя стремится к нулю, а его удельное сопротивление уменьшается до величины, близкой к величине удельного сопротивления соприкасающихся полупроводников. Через кристалл течет так называемый прямой ток, значение которого определяется сопротивлением кристалла при отсутствии запирающего слоя, сопротивлением внешней цепи и приложенным напряжением. Прямой ток обусловлен главным образом встречным движением основных носителей, так как концентрация и число переходов неосновных носителей очень малы. [13]
Можно предположить, что при увеличении внешних напряжений и одновременном увеличении температуры проявляется Кунов-ский эффект высокоэластичности полимерных сегментов, участвующих в диффузионном процессе. [15]
Страницы: 1 2