Увеличение - внешнее напряжение
Cтраница 2
В первом случае объемные заряды, толщина обедненного слоя и его сопротивление уменьшаются и при увеличении внешнего напряжения ток через контакт быстро нарастает. [17]
Теперь обратим внимание на то, что вольт-амперная характеристика р-л-перехода в прямом направлении нелинейна: по мере увеличения внешнего напряжения, прикладываемого к тиристору, токи через переходы П и Я2 растут все сильнее. [18]
На рисунках граница ОПЗ обозначена пунктирной линией. С увеличением внешнего напряжения происходит расширение ОПЗ в глубь эпитаксиального слоя. [19]
Такая полярность внешнего напряжения называется прямой. С увеличением внешнего напряжения ширина р-я-перехода уменьшается. [20]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода ( а при прямом ( б и обратном ( в включении. [21] |
Основные носители заряда перемещаются к границе перехода, а обладающие наибольшей энергией переходят через границу в противоположную область, создавая диффузионный прямой ток. По мере увеличения внешнего напряжения прямой ток возрастает; инжектированные носители, углубившись в толщу кристалла, рекомбинируют с основными носителями этой области, но пока подключен внешний источник, ток через переход поддерживается непрерывным приходом электронов из внешней цепи в n - область и уходом их из р-области во внешнюю цепь, благодаря чему восстанавливается концентрация дырок в р-области. Обратное внешнее напряжение ( р-область присоединяется к отрицательному, а я-область - к положительному выводу источника) создает электрическое поле, совпадающее с полем р-п перехода; потенциальный барьер возрастает, ток диффузии основных носителей практически обращается в нуль. Поскольку, поблизости от перехода количество основных носителей уменьшается, его толщина и электрическое сопротивление возрастают. [22]
С возрастанием 54 течение кристалла замедляется, наступает упрочнение. Чтобы деформация могла продолжаться дальше, необходимо увеличение внешних напряжений. Для сохранения определенной скорости течения необходимо образование новых дислокаций. [23]
Описанный выше эффект представляет собой объемную неустойчивость, а не неустойчивость на зажимах прибора, чем и объясняется независимость эффекта от внешних элементов схемы. Скорость движения домена не зависит от величины внешнего напряжения. Увеличение внешнего напряжения приводит к увеличению толщины домена. Скорость движения домена была определена приблизительно в 107 см / сек. Расчет показывает, что при длине образца 50 мкм частота колебаний должна составлять около 2 Ггц. Толщина домена пропорциональна длине образца и составляет приблизительно 0 1 - 0 04 от нее. [24]
 |
Зависимость напряжения от скорости деформации. [25] |
Скоростная зависимость напряжения течения обычно представляется как результат конкуренции скоростей упрочнения vy и разупрочнения ир, последняя контролируется термически активируемыми процессами и, следовательно, зависит от температуры. Термическая активация пластического течения требует тем большего времени, чем выше ( по отношению к средней энергии атома) энергия активации процесса. Следовательно, дислокации должны перемещаться свободнее с увеличением внешнего напряжения, которое, таким образом, оказывается зависящим от скорости деформации. С увеличением скорости деформации влияние тепловых флюктуации, снижающих 0ет ( в частности, влияющих на разблокировку дислокаций), уменьшается. [26]
Эти свободные вырожденные электроны п-кристалла в силу туннельного эффекта могут переходить через пограничный слой p - n - перехода. Таким образом, в туннельном диоде через р-п-переход проходят два потока вырожденных электронов, направленных встречно: поток вырожденных электронов валентной зоны р-кристалла, направленный от р - к n - области, и поток вырожденных электронов зоны проводимости n - кристалла, направленный от п - к р-области. Если диод не включен в цепь, то интенсивность пограничного поля р-п-перехода диода устанавливается такой, что эти два встречных потока электронов взаимно уравновешены, и суммарный ток через p - n - переход равен нулю. Количество вырожденных электронов р-области быстро увеличивается при увеличении внешнего напряжения, что видно из рис. 2.8, в. Ток через диод при обратном включении также быстро увеличивается с увеличением напряжения. [27]
Закрытое состояние ключа характеризуется несколькими параметрами, и прежде всего максимально допустимым напряжением, при котором развивается лавинный пробой в структуре. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя ( 3.34) определяется уменьшением подвижности носителей заряда при повышении температуры перехода. С уменьшением скорости носителей уменьшается интенсивность ударной ионизации и для поддержания лавинного процесса необходима большая напряженность электрического поля. При заданной геометрии структуры это приводит к необходимости увеличения внешнего напряжения. [28]
Страницы: 1 2