Увеличение - пересыщение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Демократия с элементами диктатуры - все равно что запор с элементами поноса. Законы Мерфи (еще...)

Увеличение - пересыщение

Cтраница 1


Увеличение пересыщения зависит не только от снижения температуры, но и от скорости ее снижения, так как снятие пересыщения проходит не мгновенно, а протекает во времени. Поэтому при резком снижении температуры пересыщение увеличивается в большей степени.  [1]

Увеличение пересыщения при выращивании кристаллов приводит к нарушениям кристаллической решетки, способствует образованию собственных дефектов и, следовательно, г-цсптров рекомбинации. В пользу этого говорит н тот факт, что из монокристаллов II типа при низких пересыщениях получаются кристаллы I тина с такими же физическими свойствами, а при оптимальных пересыщениях - кристаллы с наибольшей фоточувствителышстыо. Значительное увеличение избыточного висмута в кристалле приводит как к уменьшению числа вакансий Bi, так и к значительным па рушениям кристаллической решетки.  [2]

3 Зависимость концентрации сп некоторых кластеров Fen от времени при Т 1600 К. 3040. нпр 80. [3]

Увеличение пересыщения до s 30 400, во-первых, приводит к уменьшению в 10 раз времени достижения стационарного состояния, во-вторых, повышает стационарный уровень концентрации для больших п почти на 10 порядков величины.  [4]

Увеличение пересыщения зависит не только от снижения температуры, но и от скорости ее снижения, так как снятие пересыщения проходит не мгновенно, а протекает во времени. Поэтому при резком снижении температуры пересыщение увеличивается в большей степени.  [5]

Увеличение пересыщения приводит, однако, к увеличению общего числа частиц, а следовательно, как будет видно при более подробном рассмотрении процессов коагуляции ( гл. По этой причине в любой реакции осадкообразования существуют оптимальные условия получения коллоидного продукта. Подбор этих оптимальных условий происходит обычно эмпирическим путем, так как теоретическое рассмотрение процесса слишком сложно.  [6]

Скорость увеличения пересыщения за счет испарения компенсирует скорость кристаллизации.  [7]

С увеличением пересыщения продолжительность индукционных периодов резко сокращается. Сокращаются индукционные периоды и с ростом температуры. Например, при близких коэффициентах исходного пересыщения ( 13 4 - 13 8) повышение температуры с 25 до 40 СС приводит к уменьшению продолжительности индукционного периода с 20 до 4 мин. Намного сокращаются tind и при перемешивании. Для сульфата бария это сокращение настолько существенно, что измерение ind становится затруднительным.  [8]

С увеличением пересыщения уменьшаются устойчивость пересыщенного раствора и размеры зародышей кристаллизации, необходимые для образования осадка путем кристаллизации из пересыщенного раствора. Для получения осадка в виде достаточно крупных кристаллов необходимо, чтобы раствор был возможно менее пересыщенным.  [9]

С увеличением пересыщения одновременно увеличиваются как скорость химической реакции, так и скорость активированной адсорбции. Одни и те же вещества в микродозах могут или усиливать действие катализатора - активировать его, или уменьшать каталитическую активность. Вещества, не являющиеся катализаторами, но усиливающие каталитическую активность, называются активаторами или промоторами. Вещества, снижающие каталитическую активность - отравляющие катализатор, называются ядами.  [10]

С увеличением пересыщения уменьшаются величина устойчивости пересыщенного раствора и размеры зародышей кристаллизации, необходимые для образования осадка путем кристаллизации из пересыщенного раствора.  [11]

12 Зависимость скорости кристаллизации Jdmlt от времени процесса.. [12]

С увеличением пересыщения образование зародышей кристаллов ускоряется быстрее, чем происходит рост кристаллов. В результате получаются мелкие кристаллы. Для получения крупнокристаллического продукта следует медленно снижать пересыщение раствора.  [13]

При увеличении пересыщения уменьшаются устойчивость пересыщенного раствора и размеры зародышей ( центров) кристаллизации, необходимых для образования осадка. При очень высоком пересыщении образование осадка может идти самопроизвольно вследствие флуктуации при тепловом движении частиц в растворе. Для получения крупных кристаллов раствор должен быть возможно менее пересыщенным.  [14]

При увеличении пересыщения свыше этой величины скорость их образования резко возрастает. Следовательно, существует определенное пересыщение пара в системе, выше которого начинается интенсивное образование зародышей и конденсация пара в объеме. Конденсация пара в объеме может произойти только при S SKp.  [15]



Страницы:      1    2    3    4