Cтраница 1
Увеличение пересыщения зависит не только от снижения температуры, но и от скорости ее снижения, так как снятие пересыщения проходит не мгновенно, а протекает во времени. Поэтому при резком снижении температуры пересыщение увеличивается в большей степени. [1]
Увеличение пересыщения при выращивании кристаллов приводит к нарушениям кристаллической решетки, способствует образованию собственных дефектов и, следовательно, г-цсптров рекомбинации. В пользу этого говорит н тот факт, что из монокристаллов II типа при низких пересыщениях получаются кристаллы I тина с такими же физическими свойствами, а при оптимальных пересыщениях - кристаллы с наибольшей фоточувствителышстыо. Значительное увеличение избыточного висмута в кристалле приводит как к уменьшению числа вакансий Bi, так и к значительным па рушениям кристаллической решетки. [2]
![]() |
Зависимость концентрации сп некоторых кластеров Fen от времени при Т 1600 К. 3040. нпр 80. [3] |
Увеличение пересыщения до s 30 400, во-первых, приводит к уменьшению в 10 раз времени достижения стационарного состояния, во-вторых, повышает стационарный уровень концентрации для больших п почти на 10 порядков величины. [4]
Увеличение пересыщения зависит не только от снижения температуры, но и от скорости ее снижения, так как снятие пересыщения проходит не мгновенно, а протекает во времени. Поэтому при резком снижении температуры пересыщение увеличивается в большей степени. [5]
Увеличение пересыщения приводит, однако, к увеличению общего числа частиц, а следовательно, как будет видно при более подробном рассмотрении процессов коагуляции ( гл. По этой причине в любой реакции осадкообразования существуют оптимальные условия получения коллоидного продукта. Подбор этих оптимальных условий происходит обычно эмпирическим путем, так как теоретическое рассмотрение процесса слишком сложно. [6]
Скорость увеличения пересыщения за счет испарения компенсирует скорость кристаллизации. [7]
С увеличением пересыщения продолжительность индукционных периодов резко сокращается. Сокращаются индукционные периоды и с ростом температуры. Например, при близких коэффициентах исходного пересыщения ( 13 4 - 13 8) повышение температуры с 25 до 40 СС приводит к уменьшению продолжительности индукционного периода с 20 до 4 мин. Намного сокращаются tind и при перемешивании. Для сульфата бария это сокращение настолько существенно, что измерение ind становится затруднительным. [8]
С увеличением пересыщения уменьшаются устойчивость пересыщенного раствора и размеры зародышей кристаллизации, необходимые для образования осадка путем кристаллизации из пересыщенного раствора. Для получения осадка в виде достаточно крупных кристаллов необходимо, чтобы раствор был возможно менее пересыщенным. [9]
С увеличением пересыщения одновременно увеличиваются как скорость химической реакции, так и скорость активированной адсорбции. Одни и те же вещества в микродозах могут или усиливать действие катализатора - активировать его, или уменьшать каталитическую активность. Вещества, не являющиеся катализаторами, но усиливающие каталитическую активность, называются активаторами или промоторами. Вещества, снижающие каталитическую активность - отравляющие катализатор, называются ядами. [10]
С увеличением пересыщения уменьшаются величина устойчивости пересыщенного раствора и размеры зародышей кристаллизации, необходимые для образования осадка путем кристаллизации из пересыщенного раствора. [11]
![]() |
Зависимость скорости кристаллизации Jdmlt от времени процесса.. [12] |
С увеличением пересыщения образование зародышей кристаллов ускоряется быстрее, чем происходит рост кристаллов. В результате получаются мелкие кристаллы. Для получения крупнокристаллического продукта следует медленно снижать пересыщение раствора. [13]
При увеличении пересыщения уменьшаются устойчивость пересыщенного раствора и размеры зародышей ( центров) кристаллизации, необходимых для образования осадка. При очень высоком пересыщении образование осадка может идти самопроизвольно вследствие флуктуации при тепловом движении частиц в растворе. Для получения крупных кристаллов раствор должен быть возможно менее пересыщенным. [14]
При увеличении пересыщения свыше этой величины скорость их образования резко возрастает. Следовательно, существует определенное пересыщение пара в системе, выше которого начинается интенсивное образование зародышей и конденсация пара в объеме. Конденсация пара в объеме может произойти только при S SKp. [15]