Увеличение - пересыщение
Cтраница 3
Если изменение растворимости влечет за собой увеличение пересыщения, скорость кристаллизации возрастает, если уменьшение - снижается. [31]
Таким образом, условия, вызывающие увеличение пересыщения пара, являются определяющими для процесса образования тумана, поэтому они рассматриваются наиболее подробно. [32]
На практике увеличение работы определяют по увеличению пересыщения. [33]
С одной стороны, поскольку с увеличением пересыщения коэффициент распределения примеси стремится к единице ( § 1.8), возрастание пересыщения должно приводить к более равномерному вхождению примеси. [34]
Так как наклон касательной РТТ увеличивается с увеличением пересыщения ( х - ха), состав выделения, которому соответствует максимальная движущая сила процесса зарождения, при больших пересыщениях будет сильнее отличаться от равновесного состава выделения, чем при небольших пересыщениях. [35]
Вообще, вероятность образования зародышей возрастает с увеличением пересыщения. При небольших же пересыщениях зародыши могут образоваться только на уже существующих поверхностях - на пылинках, на стенках кристаллизатора или на специально опускаемых в раствор предметах. Начальную стадию кристаллизации можно значительно ускорить искусственным введением в раствор зародышей - мелких частиц кристаллизующегося вещества, так называемой затравки. Зародыши не должны быть меньше определенных для данного вещества и температуры размеров, так как очень мелкие зародыши могут оказаться термодинамически неустойчивыми и будут растворяться, увеличивая пересыщение раствора. Для получения крупных кристаллов число зародышей должно быть невелико. [36]
Как следует из работы [98], с увеличением пересыщения раствора критический размер частиц и свободная энергия в процессе фазового превращения уменьшаются, в связи с чем облегчаются условия образования зародышей: чем выше пересыщение, тем все меньшие и меньшие зародыши оказываются способными к дальнейшему росту. [37]
Из табл. 3 видно, что Утзх с увеличением пересыщения быстро увеличивается. При изменении максимальной скорости кристаллизации почти в 20 раз при 0 абсолютное пересыщение раствора меняется только примерно в 4 раза. [38]
Скорость термического разложения карбонилов кобальта существенно возрастает с увеличением пересыщения. [39]
Процессы конденсации и теплообмена обычно протекают одновременно с увеличением пересыщения пара, которое связано с течением основного процесса, вызывающего образование пересыщенного пара. Установить общую количественную связь между всеми перечисленными факторами трудно. Поэтому при рассмотрении практических вопросов, связанных с образованием туманов, следует вводить отдельные допущения, которые упрощают решение задачи. [40]
Отсюда следует, что облегчение начала кристаллизации при увеличении пересыщения связано с тем, что критические размеры зародыша, а следовательно, и работа, необходимая для его создания, уменьшаются по мере увеличения пересыщения, а вероятность его возникновения увеличивается. [41]
Изменением некоторых технологических условий наращивания, в частности путем увеличения пересыщения в начальный период осаждения CdS на подложке, могут быть получены слон, поверхность которых ничем не отличается от поверхности слоев CdS, выращенных на плоскости ( 0001) сапфира. При разориентации подложки относительно плоскости ( 1120) на какое-то число градусов слой сульфида кадмия будет разориентирован относительно плоскости ( 0001) на такое же число градусов. Результаты определения ориентационных соотношений эпитаксиалышх слоев сульфида кадмия, выращенных на плоскостях ( 1121), ( 1122) сапфира, подтверждают данную закономерность. При еще большем отклонении плоскости сапфира от ( 1120) ориентационнын характер кристаллизации CdS заметно меняется. На плоскости ( 1124) обычно наблюдается рост слоя в виде крупных ( до 40 % от всей поверхности подложки) блоков, сильно разо-риентированных между собой. [42]
 |
Изменение светорассеяния ( 1, удельного оптического вращения ( 2 и предельного напряжения сдвига ( 3 во времени для геля желатины ( с 1 г / 100 мл при рН 4 9 и 20 С ( а и 6 С ( б. [43] |
Если создать условия для более быстрого выделения фазы путем увеличения пересыщения в растворе ( например понижением температуры опыта, рис. 48, б), то нарастание прочности геля протекает без заметного индукционного периода. Из рис. 48 видно, что на кинетических кривых изотермического нарастания светорассеяния отсутствует индукционный период, характерный для образования новой кристаллической фазы из пересыщенных растворов. [44]
Из уравнения (2.30) видно, что значительное охлаждение газ; и увеличение пересыщения газа за счет лучеиспускания может происходить при высокой температуре газа и высоком давлении nipa, например при конденсации паров металлов, при атомном взрыве, а также в космических процессах. [45]
Страницы: 1 2 3 4