Cтраница 1
Увеличение проводимости под действием освещения приводит к изменению тока, когда к образцу приложено внешнее напряжение. [1]
Увеличение проводимости осуществляется в объеме полупроводника и не зависит от природы электродов. [2]
Увеличение проводимости в этом случае достигается в результате адсорбции на поверхности диэлектрика тонкой пленки влаги. [3]
Увеличение проводимости, вызванное возвращением ионов, накапливающихся в поляризованных слоях, позволяет вычислить количество свободных ионов в кристалле. [4]
Увеличение проводимости под действием радиации различных типов легко можно описать элементарными уравнениями. [5]
Увеличение проводимости с температурой продолжается до тех пор, пока остающееся число захваченных носителей уже не сможет поддерживать этот рост, после чего происходит возвращение к нормальному значению темнового тока. Часто наблюдается несколько максимумов, указывающих на существование различных уровней захвата. [6]
Увеличение проводимости при освещении объясняется тем, что электроны валентной зоны и донорных уровней атомов примесей, поглощая кванты света, увеличивают свою энергию и переходят в зону возбуждения, где они могут принимать участие в переносе тока. При этом в валентной зоне возникают дырки, также принимающие участие в переносе тока. Это так называемый внутренний фотоэффект, свойственный большому числу полупроводниковых материалов. [7]
Увеличение проводимости в этом случае достигается в результате адсорбции на поверхности диэлектрика тонкой пленки влаги. [8]
Увеличение проводимости с температурой может объясняться экспоненциальным ростом подвижности; тогда w0 представляет собой среднюю энергию, необходимую для преодоления межмолекулярных барьеров. Это подтверждается сильным влиянием на проводимость надмолекулярной структуры. Так, в полимерах с кристаллическим строением величина у значительно выше, чем у аморфных; всестороннее сжатие некоторых полупроводников приводит к возрастанию проводимости. Это подтверждает роль энергии активации подвижности на барьерах между макромолекулами в высокомолекулярных соединениях. [9]
Увеличение проводимости при освещении объясняется тем, что электроны валентной зоны и донорных уровней атомов примесей, поглощая кванты света, увеличивают свою энергию и переходят в зону возбуждения, где они могут принимать участие в переносе тока. При этом в валентной зоне возникают дырки, также принимающие участие в переносе тока. Это так называемый внутренний фотоэффект, свойственный большому числу полупроводниковых материалов. [10]
Увеличение проводимости, вызванное возвращением ионов, накапливающихся в поляризованных слоях, позволяет вычислить количество свободных ионов в кристалле. [11]
Увеличение проводимости осуществляется в объеме полупроводника и не зависит от природы электродов. [12]
Увеличение проводимости при освещении полупроводника объясняется освобождением электронов кристаллической решетки, образующих первичный фототек. В полупроводниках первичный фототек достигает сравнительно больших значений, разрушает первоначальную кристаллическую решетку и вызывает вторичный фототек за счет освободившихся при этом электронов. Вторичный фототек зависит от приложенного к фотоэлементу напряжения и температуры. Инерционность фотосопротивлений, как правило, увеличивается с увеличением их чувствительности и уменьшением освещенности. [13]
Увеличение проводимости в этих опытах имеет своей причиной восстановление окиси цинка под влиянием паров метилового спирта. [14]
Увеличение проводимости NaCl при добавлении CdCl2 не вполне пропорционально мольной доле кадмия, и, исходя из предположения о том, что это отклонение происходит только вследствие простой ассоциации между ионами Cd2 и катионными вакансиями, Этцель иМаурер [32] высказали мнение, что энергия ассоциации ( А) этого комплекса приблизительно равна 0 3 зв. Используя этот метод, Рейтц и Гаммель [48] нашли, что величина А составляет 0 44 0 1 эв, в то время как, согласно более точным расчетам Бассани и Фьюми [49], А0 38 зв. Это очень хорошее совпадение может быть, однако, случайным, так как такие же эксперименты с введением ионов кальция ( описанные Зейтцем [39]) показали значительное отклонение от теории. В этом направлении желательно проведение дальнейших экспериментов. [15]