Увеличение - проводимость
Cтраница 2
Увеличение проводимости полупроводников происходит при воздействии на них лучистой энергии. Объясняется это тем, что энергия кванта света-фотона превосходит ширину запретной зоны большинства даже чистых полупроводниковых элементов. [16]
Увеличение проводимости полупроводника под воздействием электромагнитного излучения называют внутренним фотоэффектом. Поток фотонов, падающих на полупроводник, затрачивает энергию на образование электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. [17]
 |
Схема процессов фотовозбуждения. [18] |
Увеличение проводимости фоторезистора под действием электромагнитного излучения связано с увеличением числа носителей зарядов. [19]
Увеличение проводимости моногидрата при добавлении к нему SO3 указывает на то, что при этом, кроме молекул Н О. [20]
Увеличение проводимости полупроводника с ростом напряженности электрического поля вызвано облегчением переброса электронов тепловым возбуждением или на уровни акцепторных, или донорных примесей. При достаточно большой напряженности электрического поля полупроводник теряет свои специфические свойства вследствие разрушения его структуры. [21]
 |
Термический метод определения типа электропроводности полупроводников. [22] |
Увеличение проводимости полупроводника с дервоад напряженности электрического поля вызвано облегчением jn pj a oreinpcBDB тепловым возбуждением на уровий или акцепторных, или донорных примесей. [23]
Увеличение проводимости полупроводников происходит при воздействии на них лучистой энергии. Объясняется это тем, что энергия кванта света - фотона превосходит ширину запретной зоны большинства даже чистых полупроводниковых элементов. [24]
Увеличение проводимости диэлектриков является од-ним из наиболее опасных последствий воздействия ионизирующих излучений. Одновременно с увеличением про-1 водимое в некоторых материалах происходит изменение тангенса угла диэлектрических потерь. [25]
Увеличение проводимости воды при пропускании переменного тока при отсутствии перемешивания более сильно проявляется в случае пары электродов Pt -, PtJ, чем при Pt -, Ptf. Перемешивание снижает величину тока поляризации, особенно при использовании ка-лиллярной трубки, что объясняется существенным нарушением направленной диффузии ионов воды под действием электростатического поля. Пропускание же переменного тока вызывает в этом случае увеличение электропроводности. Следовательно, действие переменного тока заключается не только в увеличении конвективных потоков, как полагают некоторые авторы [9], айв образовании токопроводящих частиц. [26]
Увеличение проводимости фотосопротивлений под действием ионизирующих излучений объясняется образованием фотоэлектронов в их слое. [27]
Увеличение проводимости линии приводит к срабатыванию одного из реле аварии IPAi, IPAz - 4PAi, 4PA 2, которое приводит в действие световую и звуковую сигнализации. [28]
Увеличение проводимости освещаемого полупроводника объясняется тем [11], что фотоны лучистой энергии выбивают электроны из кристаллической решетки полупроводника и превращают их в свободные электроны проводимости. Эти электроны под влиянием электрического поля, созданного между электродами, образуют первичный фототок. [29]
 |
Расчетные зависимости т f ( T для приповерхностных и внутренних О слоев пленки ПЭТФ. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5