Возвращение - электрон
Cтраница 2
ПРИ котором еще не возникает возвращения электронов, может быть вычислено так. [16]
Через / з обозначим время возвращения электрона в плоскость рассматриваемой сетки. [17]
Наконец, испускание рассеянного фотона сопровождается возвращением электрона в основное, ( исходное) электронное состояние. [18]
Одновременно с процессом генерации идет обратный процесс возвращения электронов из зоны проводимости в валентную зону, Этот процесс приводит к исчезновению свободных электронов и дырок. Нейтрализацию пары электрон проводимости - дырка провоои-мости называют рекомбинацией носителей заряда. В состоянии термодинамического равновесия скорости генерации и рекомбинации равны. Это значит, что количество электронов, переходящих в единицу времени из валентной зоны в зону проводимости, равно количеству электронов, возвращающихся на энергетические уровни валентной зоны. В результате строго определенная концентрация носителей заряда соответствует каждой данной температуре полупроводника. Носители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки полупроводника в условиях термодинамического равновесия, называют равновесными носителями заряда. [19]
Аналогичным образом предполагалось, что рекомбинация происходит путем возвращения электрона непосредственно с уровня в зоне проводимости на уровень в валентной зоне. [20]
Излучение ( спонтанное или индуцированное) происходит при возвращении электрона в валентную зону и его рекомбинации с дыркой. [21]
 |
Режим возврата электронов к сетке.| Зависимость коэффициента токораспределения от напряжений на электродах триода. [22] |
Рассмотренные соотношения напряжений U & и Uc, для которых характерно возвращение электронов из пространства сетка-анод обратно к сетке, соответствуют режиму возврата электронов-к сетке. [23]
Процессы свечения электролюминофоров при возбуждении прямоугольными импульсами напряжения отличаются тем, что возвращение электронов в прикатодную область, из которой они ушли на первой стадии процесса, обусловливается внутренним полем поляризации как связующего диэлектрика, так и зерен самого электролюминофора. Причиной возникновения первичного пика яркости может быть рекомбинация освобождаемых полем электронов, ранее захваченных ловушками. [24]
Стремясь прийти к устойчивому состоянию, атом излучает избыток энергии в момент возвращения электронов на уровни, при которых энергия атома минимальна. При переходе газообразного вещества в жидкость, а затем при образовании кристаллической решетки твердого тела все имеющиеся у данного типа атомов электронные уровни ( как заполненные электронами, так и незаполненные) несколько смещаются вследствие действия соседних атомов друг на друга. Таким образом, из отдельных энергетических уровней уединенных атомов в твердом теле образуется целая полоса - зона энергетических уровней. [25]
Если на защитную сетку задавать отрицательный потенциал, то в связи с возвращением электронов к экранирующей сетке уменьшается анодный ток. [26]
 |
Схема электронных переходов в кристаллофосфоре при возбуждении лю. [27] |
При рекомбинации свободного электрона с ионизованным центром свечения ( переход 5) или при возвращении электрона с возбужденного уровня в исходное состояние ( переход 6) может произойти испускание кванта люминесценции. [28]
Теоретически для мономолекулярных процессов к простейшей экспоненциальной форме закона высвечивания приходят в предположении, что возвращение электрона с уровня возбуждения на нормальный уровень после акта поглощения происходит по закону случая. [29]
Так как движение происходит в электростатическом поле, то очевидно, что скорость в момент возвращения электрона в резонатор равна скорости t x при выходе из резонатора. Таким образом, время движения электрона вверх тв и вниз тн одинаково. [30]
Страницы: 1 2 3 4