Дальнейшее увеличение - приложенное напряжение
Cтраница 1
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [1] |
Дальнейшее увеличение приложенного напряжения повлечет уменьшение тока ( рис. 12.6, в), так как против той части электронов, которые могли бы перейти налево, оказываются запрещенные уровни. Нетрудно убедиться, что смещение р-п-пе-рехода в противоположном направлении приведет к сильному росту тока. Таким образом, ток туннельного диода является суммой двух токов - туннельного и обычного диффузионного. В реальных приборах туннельный ток никогда не спадает до нуля. [2]
 |
Структура динистора ( а и ее двухтранзисторное представление ( и.| Вольтамперная характеристика динистора. [3] |
Дальнейшее увеличение приложенного напряжения приводит к снижению величины потенциального барьера запертого р-п перехода. Происходит перераспределение падения напряжения во всех частях структуры, понижаются барьеры р-п переходов, число инжектируемых носителей лавинообразно нарастает. Большую роль здесь начинают играть процессы умножения носителей тока. Этому процессу соответствует участок отрицательного сопротивления / / на вольтамперной характеристике. После перехода динистора в открытое состояние его внутреннее сопротивление становится малым, и дальнейшее увеличение напряжения вызывает резкий рост тока - участок / / / на вольтамперной характеристике. В этой области напряжение слабо зависит от тока, это так называемое остаточное напряжение динистора в режиме насыщения. [4]
 |
Плотность вероятности нахождения электрона в пространстве. [5] |
Дальнейшее увеличение приложенного напряжения повлечет уменьшение тока ( рис. 7.5, в), так как против той части электронов, которые могли бы перейти налево, оказываются запрещенные уровни. [6]
Дальнейшее увеличение приложенного напряжения снова вызывает примерно пропорциональное возрастание тока. [7]
 |
Схематическое изображение вольт-амперной характеристики ИПД. [8] |
При дальнейшем увеличении приложенного напряжения обедненная область перехода с обратным смещением расширяется дальше в / г-область, пака в конце концов не происходит пробой. [9]
 |
Двухэлектродный симистор. [10] |
Переход / начинает инжектировать электроны в слой ръ и при дальнейшем увеличении приложенного напряжения этот процесс нарастает. Следовательно, для переключения двухэлектродного симистора достаточно, чтобы напряжение на электродах было близко к напряжению пробоя центрального перехода. [11]
Петлю гистерезиса, являющуюся геометрическим местом точек предельных магнитных состояний материала, называют предельной ( или реже основной), так как дальнейшее увеличение приложенного напряжения не изменяет существенно ее плошади и формы. [13]
На практике было показано, что горизонтальный участок на кривой появляется тогда, когда высокие токи проходят через катионитовые мембраны, обладающие высокой избирательной проницаемостью; дальнейшее увеличение приложенного напряжения вызывает довольно резкое увеличение тока. Многими исследователями доказано, что этот ток не зависит от концентрации ионов водорода. Было подтверждено также усиленное проникание Кононов. [14]
 |
Вольт-фарадные характе - у v. [15] |
Страницы: 1 2