Дальнейшее увеличение - приложенное напряжение
Cтраница 2
Поверхностная емкость по-прежнему будет определяться изменением заряда на внутренней границе обедненного слоя, и, поскольку протяженность обедненного слоя при наличии инверсного слоя почти не зависит от приложенного постоянного напряжения, поверхностная емкость достигает минимального значения и не изменяется при дальнейшем увеличении приложенного напряжения. [16]
 |
Вольт-амперные характеристики позистора ( К - отношение сопротивления резистора к сопротивлению позистора. [17] |
На начальном участке сопротивление позистора, как правило, несколько уменьшается с увеличением мощности рассеивание вследствие наличия у большинства типов прзисторов на данном / ш участке небольших отрицательных ТКС. При дальнейшем увеличении приложенного напряжения сопротивление позистора возрастает, а ток уменьшается. При определенном сопротивлении резистора, включенного параллельно позистору, цепь может быть использована в качестве стабилизатора тока. [18]
Рассмотрим вторую стадию процесса разрушения - стадию сравнительно быстрого распространения самой длинной зародышевой трещины. На этой стадии главная роль принадлежит уже не касательным, а нормальным напряжениям ст. На этой стадии трещины при определенных условиях становятся неустойчивыми и могут расти без дальнейшего увеличения приложенных напряжений. Критический момент - потеря равновесия - определяется из энергетических условий: необходимо, чтобы упругая энергия, которая высвобождается при раскрытии трещины, была, по крайней мере, равна поверхностной энергии стенок трещины. [19]
Другая характерная особенность механического поведения полифенилхиноксалина заключается в том, что обобщенные кривые податливости, полученные при небольших напряжениях ( 10 - 30 МПа), практически накладываются друг на друга в широком интервале длительностей процесса. Лишь при очень больших длительностях нарушается линейность механического поведения для указанных уровней напряжения. Дальнейшее увеличение приложенного напряжения приводит к значительно меньшему смещению обобщенных кривых податливости по сравнению со смещением кривых при переходе от напряжения 30 МПа к напряжению 40 МПа. Таким образом, для полифенилхиноксалина помимо релаксационного перехода, разделяющего две температурные области с различной скоростью релаксационных процессов для каждого уровня напряжения, существует релаксационный переход по напряжению, который разделяет две области напряжений с существенно различными скоростями ползучести. [21]
Внутренее поле очень тонкого диэлектрика может достигать больших величин; для его оценки положим s 20A - величина обычная для туннельных систем МДМ, см. разд. F в диэлектрике дается выражением F Ftn - f Ills. Дальнейшее увеличение приложенного напряжения U ( ifma - фт1) / е ведет к появлению и росту напряженности электрического поля противоположного знака. Очевидно, если электрод с меньшей работой выхода заряжен отрицательно, диэлектрик выдержит большее напряжение, прежде чем наступит пробой. [22]
Более поздние эксперименты [50] с применением горелки, состоящей из расположенных друг против друга форсунок, были проведены так, чтобы ионы из зоны реакции, которая проходит через зону образования углерода, всегда попадали на электрод через атмосферу, обедненную углеводородом. Когда прикладываемый потенциал достигает значения 10 кв, в диффузионном пламени этилена, в котором образуется сажа, постепенно исчезает светящаяся зона, и оно становится почти совсем темным. Кроме того, отложение углерода на краях горелки исключается почти полностью, и вместо этого углерод осаждается на отрицательном электроде. При потенциале 1 кв скорость образования углерода увеличивается всего лишь на 2 или 3 % по сравнению со скоростью в отсутствие поля. Дальнейшее увеличение приложенного напряжения ( до 10 кв) вызывает увеличение скорости отложения углерода ( но только в три раза от минимальной величины), при этом уменьшение размеров образующихся частиц компенсируется увеличением их числа. Видимо, частицы углерода приобретают положительный заряд, еще будучи совсем маленькими, в результате чего они быстро подхватываются электрическим полем, а их размеры могут изменяться во время их пребывания в зоне пиролиза. Кроме того, очевидно, что частицы углерода вырастают на положительных ионах реакционной зоны, как это происходит на зародышах в отсутствие поля. [23]
Страницы: 1 2