Дальнейшее увеличение - плотность
Cтраница 1
Дальнейшее увеличение плотности от dz до d ( плотность исследуемой воды) вызывается тем, что в воде растворено еще х г / л углекислоты. [1]
 |
Обскурограмма пинча в плазменном фокусе. а - в режиме с одним сжатием. б - в режиме с двумя сжатиями. [2] |
Дальнейшее увеличение плотности и темп-ры плазмы, энергосодержания пучков ааряж. С лазерным инициированием разряда и комбини-ров. [3]
 |
Зависимость фильтрационного сопротивления а от длины горизонтального ствола L, плотности ответвлений п и значений их радиуса гс. [4] |
Дальнейшее увеличение плотности ответвлений для указанных длин ствола эффекта не дает, так как разница между величинами коэффициента а в случае, когда число ответвлений равно 1, 2, 3, 4 на 10 м соответствующей длины ствола и л -, практически мала. [5]
Дальнейшее увеличение плотности заряда приводит к исчезновению химпика и появлению нарастающего профиля давления в зоне химической реакции. В [248] обнаруженные структуры зон химической реакции объясняются с позиций зависимости скорости разложения ВВ от микроструктуры заряда. Прессование гексогена с малым количеством ацетона создает большое количество дефектов различной природы, могущих служить потенциальными очагами реакции - происходит, как бы механическая активация заряда ВВ. Вследствие этого формируется детонационная волна без химпика. При этом нужно иметь в виду, что значительное уменьшение ширины зоны химической реакции должно привести к значительному уменьшению величины критического диаметра детонации. Поэтому высокоплотные заряды агатированного гексогена должны иметь весьма малый критический диаметр ( толщину) детонации. [6]
Дальнейшее увеличение плотности теплового потока приводит к тому, что все большая часть поверхности покрывается нестабильными паровыми пленками. Постепенный переход от развитого пузырькового кипения к стабильному пленочному ( вплоть до пережога опытного элемента) сопровождается постепенной перестройкой спектра шума. Интенсивность в полосе частот выше 1 0 кГц падает, а в полосе частот менее 1 0 кГц растет. [7]
Дальнейшее увеличение плотности сорб-ционного покрытия не влияет на извлечение минералов в пенный продукт. [8]
Дальнейшему увеличению плотности препятствует развивающаяся желобковая неустойчивость. Несколько ниже мы вернемся к этому вопросу и приведем экспериментальные данные, подтверждающие высказанное утверждение. [9]
Для дальнейшего увеличения плотности теплового потока необходимо изыскание новых методов охлаждения конструкций. [10]
С дальнейшим увеличением плотности заполнения влияние границ становится более сложным, его расчет можно производить методом переноса границ. Заключается он в следующем. На ЭВМ производится математическое моделирование исследуемого заполнения в гипотетический контейнер заданной формы. Затем производится последовательный перенос граней контейнера внутрь на заданный шаг с последующим подсчетом структурных параметров в оставшейся части контейнера. [11]
При дальнейшем увеличении плотности начинает играть все большую роль отталкивание между нуклонами на малых расстояниях и кроме того, когда пионное поле делается достаточно большим, рост конденсатной энергии замедляется, в результате чего знак сжимаемости восстановится. [12]
При дальнейшем увеличении плотности рост конден-сатной энергии ослабится и кроме того, вступят в строй отталкиватедьные силы. [13]
При дальнейшем увеличении плотности появляется целый интервал значений &, где система неустойчива. Возникает вопрос, будет ли появляющаяся неоднородность в распределении частиц иметь фурье-компоненты во всем этом интервале или же система предпочтет выбрать лишь некоторые дискретные векторные значения k, модуль которых лежит в указанном интервале. Другими словами, вопрос состоит в том, будет ли распределение плотности иметь периодический характер. [14]
При дальнейшем увеличении плотности р2 наступит момент, когда место разрушения пленки приблизится вплотную к сопловому отверстию и толщина пленки в месте распада будет сохраняться постоянной. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5