Дальнейшее увеличение - ток - база
Cтраница 1
Дальнейшее увеличение тока базы до значения / Б5 уже не приводит к заметному увеличению выходного тока / к; при этом лишь увеличивается степень насыщения транзистора и величина неравновесного заряда в базе. [1]
Дальнейшее увеличение тока базы не приводит к значительному изменению тока и напряжения на коллекторе. [2]
Дальнейшее увеличение тока базы до значения / Б5 уже не приводит к заметному увеличению выходного тока iK; при этом лишь увеличивается степень насыщения транзистора и величина неравновесного заряда в базе. [3]
Дальнейшее увеличение тока базы с б / б н не изменяет тока в коллекторной цепи. [4]
 |
Модель биполярного транзистора в ключевом режиме. [5] |
Дальнейшее увеличение тока базы не приведет к увеличению тока коллектора, поскольку транзистор уже находится в состоянии, пограничном с состоянием насыщения. [6]
Дальнейшее увеличение тока базы приближает точку а к точке а, но не приводит к сколько-нибудь существенному повышению тока коллектора, в чем и заключается явление насыщения. [7]
При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора не изменяется, следовательно, градиент концентрации дырок в базе, которому пропорционален ток коллектора, также не изменяется. [8]
 |
Эквивалентные схемы ключа в режиме насыщения. [9] |
После перехода транзистора в насыщение дальнейшее увеличение тока базы незначительно увеличивает напряжение иб. [10]
Во время заряда емкости увеличивается отрицательное напряжение на базе транзистора, что приводит к дальнейшему увеличению тока базы, а следовательно, к увеличению коллекторного тока, пока транзистор находится в активной области. [11]
Режим насыщения достигается уже при IB / Б Н к н / i h - 2i9 - Дальнейшее увеличение тока базы IB / Б, и не изменяет тока в коллекторной цепи. [12]
 |
Схема транзисторного ключа с фиксирующим диодом.| Рабочая область ненасыщенного ключа с фиксирующим диодом.| Схема ненасыщенного ключа с нелинейной обратной связью ( цепь Д Е. [13] |
Так как потенциал коллектора зафиксирован ( с помощью диода и базовой батареи) на отрицательном уровне относительно базы, то при дальнейшем увеличении тока базы транзистор не выходит из активной области. [14]
Страницы: 1 2