Дальнейшее увеличение - ток - база
Cтраница 2
Такая величина коллекторного тока соответствует рабочей точке А на рис. 7.20, а. При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора практически Остается неизменным. [16]
Когда на базу транзистора подают отрицательное напряжение, он отпирается, и в цепи коллектора устанавливается ток / к, величина которого определяется величиной тока в цепи базы. Если ток базы достаточно велик, то транзистор открывается полностью так, что дальнейшее увеличение тока базы не вызывает роста тока коллектора. Это состояние носит название режима насыщения ( точка Б) при нем сопротивление перехода эмиттер - - коллектор резко уменьшается и достигает долей ома, а напряжение источника питания оказывается почти полностью приложенным к нагрузке. [17]
 |
Семейство коллекторных характеристик транзистора. [18] |
На рис. 1.8 представлено семейство выходных характеристик транзистора с нагрузочной прямой, соответствующей нагрузке RK. Точка Н соответствует границе режима насыщения. При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора остается почти неизменным. [19]
 |
Графическое пояснение работы транзистора в ключевом. [20] |
Макс - Такая величина коллекторного тока соответствует рабочей точке Л на рис. 12 - 31, а. При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора практически остается неизменным. [21]
При увеличении положительного базового тока ( вытекает из базы) сопротивление между эмиттером и коллектором уменьшается, рабочая точка перемещается по линии нагрузки АД, при этом ток нагрузки коллектора увеличивается. Рост тока коллектора ограничен сопротивлением нагрузки: IK. UnmlRH, поэтому при определенном токе базы наступает насыщение транзистора и дальнейшее увеличение тока базы не дает приращения тока нагрузки. [22]
Минимальный ток транзистора соответствует точке А, где транзистор заперт, так как к его базе приложено положительное смещение. Запертое состояние сохраняется при положительном смещении на базе для участка АВ. При приложении к базовой области такого отрицательного отпирающего сигнала, при котором рабочая точка находится на участке ВБ, транзистор обладает усилительными свойствами. Дальнейшее увеличение тока базы не приводит к увеличению тока коллектора, значение которого приблизительно равно En / Ян - Этот режим получил название режима насыщения. Особенностью его является минимальное падение напряжения на транзисторе при максимальном токе нагрузки. Аналогично рассмотреть можно и схему ОБ. [23]
Страницы: 1 2