Возгонка - кристалл
Cтраница 1
Возгонка кристаллов СО2, образовавшихся в начале теплого дутья, приводит к тому, что концентрация двуокиси углерода в воздухе увеличивается. Характер изменения концентрации СО2 в одном из сечений второй зоны показан на фиг. [1]
 |
Сдвиг слоев в атомных ( а, ионных ( б и металлических ( в кристаллических решетках при механическом воздействии. [2] |
Если газ, образующийся в результате возгонки кристалла, состоит из тех же частиц, что и сам кристалл, то энергия кристаллической решетки равна энергии возгонки и ее можно определить экспериментально. Это относится к атомным, металлическим и молекулярным кристаллам. При испарении ионных кристаллов в газовую фазу переходят молекулы или атомы, вследствие чего определить экспериментально энергию кристаллической решетки таких кристаллов нельзя. В этом случае расчеты проводят на основании закона Гесса ( гл. [3]
 |
Сдвиг слоев в атомных ( а, ионных ( б и металлических ( в кристаллических решетках при механическом воздействии. [4] |
Если газ, образующийся в результате возгонки кристалла, состоит из тех же частиц, что и сам кристалл, то энергия кристаллической решетки равна энергии возгонки и ее можно определить экспериментально. Это относится к атомным, металлическим и молекулярным кристаллам. При испарении ионных кристаллов в газовую фазу переходят молекулы или атомы, вследствие чего определить экспериментально энергию кристаллической решетки таких кристаллов нельзя. В этом случае расчеты проводят на основании закона Гесса ( гл. Наибольшая энергия кристаллической решетки характерна для ионных и атомных кристаллов, меньшая - для металлических и еще меньшая - для молекулярных кристаллов. [5]
Плавление льда и кипение воды предполагают разрыв водородных связей, а возгонка кристалла цинковой обманки - разрыв связей Zn-S. Аналогичным образом процесс растворения кристалла иллюстрирует различные типы структур, найденные в твердых телах. Растворение молекулярного кристалла состоит просто в разделении молекул, удерживаемых слабыми силами ван-дер - Ваальса. [6]
Напомним, что первые наблюдения полимеризации три-оксана [3] были связаны с кристаллизацией и возгонкой очищенных кристаллов триоксана. [7]
Мерой энергии межмолекулярного взаимодействия может служить теплота испарения жидкостей & НЯСП ( или теплота возгонки кристаллов, А / / ВОЗГ), которая расходуется на преодоление межмолекулярного притяжения при превращении жидкости в пар. [8]
 |
Определение эбулиоскопической. / постоянной экстраполяцией. [9] |
Кривая 2 характеризует зависимость давления насыщенного пара чистой жидкости от температуры, кривая 2 - такая же зависимость для давления пара над раствором. Кривая 3 - кривая возгонки кристаллов, она пересекается с кривой 2 в точке О, из которой исходит кривая / - кривая плавления или, точнее, кривая начала отвердевания раствора. Эта кривая располагается левее кривой / плавления чистого вещества. Следовательно, при одном и том же давлении появление первых кристаллов из раствора при охлаждении происходит при более низкой температуре, чем температура плавления чистого вещества. [10]
Вследствие непрерывного повышения температуры газа и насадки в каждом сечении регенератора во время теплого дутья сечение, в котором начинается кристаллизация СО2, непрерывно перемещается к холодному концу регенератора. Выше этого сечения возникают условия, необходимые для возгонки кристаллов, ранее образовавшихся на насадке, так как рн при повышении температуры насадки становится больше парциального давления СО2 в ядре потока. [11]
 |
Зоны кристаллизации возгонки двуокиси углерода. [12] |
Вследствие непрерывного повышения температуры газа и насадки в каждом сечении регенератора во время теплого дутья сечение, в котором начинается кристаллизация СО2, непрерывно перемещается к холодному концу регенератора. Выше этого сечения возникают условия, необходимые для возгонки кристаллов, ранее образовавшихся на насадке, так как рн при повышении температуры насадки становится больше парциального давления СО2 в ядре потока. [13]
Переход вещества из жидкого или твердого состояния в газообразное происходит с поверхности и имеет место при всех конечных температурах. При повышении температуры тепловая энергия атомов возрастает, а с ней возрастает и вероятность отрыва частиц от поверхности. При возгонке кристалла происходит послойный разбор плоских сеток, который начинается с ребер кристалла или с областей поверхности, где имеются структурные дефекты. Таким образом, селективная возгонка примесей будет неэффективной; труднолетучие примеси должны скапливаться на поверхности, образовывать частицы новой фазы и снижать дальнейшее испарение вещества. [14]
Например, если использовать параметры, определенные из В для расчета г, то получится значительное расхождение между расчетными и экспериментальными значениями. Кроме того, модель Сюзерленда имеет два недостатка, которые незаметны при простом рассмотрении табл. 4.8. Во-первых, глубина потенциальной ямы оказывается слишком большой по сравнению со значениями, полученными из других моделей, и с оценками, рассчитанными на основании других свойств. Так, энергия возгонки кристаллов, рассчитанная с помощью принятых параметров потенциала, оказывается завышенной. Причина состоит в том, что сочетание членов притяжения г 6 и отталкивания в соответствии с моделью жестких сфер дает точку пересечения на дне потенциальной ямы, которая становится слишком узкой и глубокой. Модель треугольной формы не обладает рассмотренным недостатком [ 35а ], однако существенно лучшие результаты получаются при использовании менее резкого отталкивания. Вторая трудность состоит в том, что модель Сюзерленда плохо воспроизводит В и TI при высоких температурах. По этой причине гелий не был включен в табл. 4.8 и два набора параметров даны для неона. Эта трудность также обусловлена жестким центром и может быть устранена использованием менее резкого отталкивания. [15]
Страницы: 1 2