Cтраница 1
![]() |
Вольтамперные характеристики фототранзистора. [1] |
Воздействие светового потока приводит к появлению в базе парных зарядов, разделяющихся в коллекторном переходе. Дырки уходят за переход в р-область, а электроны остаются в базе. Поле, создаваемое объемным зарядом электронов, не может уменьшить заряд в базе, выводя часть носителей в виде тока базы, так как база не имеет вывода, включенного в общие цепи. [2]
![]() |
Вольт-амперные харак - Газонаполненные фотоэлемен. [3] |
Воздействие очень сильных световых потоков на фотоэлемент, находящийся под напряжением, может привести к практически полной потере чувствительности вследствие разрушения фотокатода. [4]
При воздействии светового потока в фоторезисторах уменьшается электрическое сопротивление вследствие фоторезисторного эффекта ( внутреннего фотоэффекта), который заключается в том, что при освещении полупроводника часть электронов, поглощая кванты света, получает дополнительную энергию, что приводит к их освобождению, а следовательно, к увеличению электропроводности фоторезистора. [5]
![]() |
Фотоэлектронный умножитель. [6] |
При воздействии светового потока на полупрозрачный фотокатод Фк с его внутренней поверхности эмиттируются электроны, которые ускоряются полем первого динода Д1 и при соударении с ним вызывают поток вторичных электронов. Вторичные электроны увлекаются полем динода Д2 и порождают новый поток электронов, и так далее до тех пор, пока электроны не достигнут анода А. Число динодов может доходить до 20, что обеспечивает умножение первичных фотоэлектронов в 108 - 109 раз, при этом чувствительность достигает 1000 А / лм. Если световой поток F превышает 10 - лм, то нарушается линейность, а при F 10 - 3 лм фотоумножитель переходит в режим насыщения. Темновой ток в ФЭУ может доходить до Ю-9-Ю-6 А при t 20 - - 30 С. [7]
При воздействии светового потока на поверхность металла атомы металла погло щают кванты энергии. В результате энергия электронов металла увеличивается. В некоторых металлах ( например, цинк, цезий и их сплавы) энергия части электронов стано вится больше, чем работа выхода для данного металла. Эти электроны отрываются от металла, выходят за его пределы. При этом металл, потерявший электроны, заряжается поло-жителбно. [8]
![]() |
Геометрия отклонения пучка в иконоскопе.| Спектральная характеристика иконоскопа. [9] |
При воздействии постоянного светового потока на мозаику Перераспределение вторичных электронов и фотоэлектронов приводит к нейтрализации зарядов, накопленных в течение длительного периода, уменьшает эффективное время - накопления до величины менее четверти периода повторения полей, что снижает чувствительность трубки в 4 раза. [10]
По характеру воздействия светового потока на фотоэлектронный прибор различают фотоэлектронные приборы с внутренним фотоэффектом, у которых под действием фотонов происходит генерация носителей зарядов - электронов и дырок, и фотоэлектронные приборы с внешним фотоэффектом, у которых под действием фотонов происходит фотоэлектронная эмиссия. [11]
![]() |
Относительная чувствительность ( вид-ность глаза. [12] |
После прекращения воздействия светового потока световое ощущение исчезает не сразу. [13]
![]() |
Фотодатчик со световым потоком, прерываемым ОУ. [14] |
Все фотодатчики по характеру формирования воздействия светового потока на фотоэлемент можно разделить на несколько видов. [15]