Воздействие - световой поток
Cтраница 2
Основные характеристики фотодиодов оцениваются по воздействию светового потока или потока излучения, а в качестве реакции рассматривают ток фотодиода. [17]
Этими тремя эффектами, естественно, не исчерпывается воздействие сильных световых потоков на среду. [18]
Для возвращения вещества в прежнее состояние требуется нагрев или воздействие светового потока с длиной волны ИК-Диа-пазона. [19]
 |
Схема приемника время-импульсной системы. [20] |
Указанное смещение при постоянной скорости вращения диска изменяет время воздействия светового потока на фотодиод, а следовательно, и длительность импульса поступающего с транзистора ТЗ в линию связи. Форма прорези в диске выбирается такой, чтобы длительность импульса на выходе устройства изменялась прямо пропорционально углу поворота оси датчика ЯП. [21]
Если интегральная чувствительность приемника по эталонному источнику измерялась по воздействию светового потока, то поступают следующим образом. [22]
Фоторезисторы - это полупроводниковые приборы, сопротивление которых изменяется под воздействием светового потока. При облучени-и световым потоком в полупроводниковом материале возникает избыточная концентрация носителей заряда за счет перехода электронов в зону проводимости, что вызывает изменение проводимости полупроводника. [23]
Фотосопротивления - полупроводниковые непроволочные сопротивления, изменяющие свое сопротивление под воздействием светового потока. [24]
 |
Габаритные размеры головки фотореле ФРС-400. [25] |
Фотосопротивления представляют собой полупроводниковые непроволочные-сопротивления, изменяющие свое сопротивление под воздействием светового потока. [26]
Рассмотрим реакцию AB hv - - P, протекающую под воздействием светового потока постоянной интенсивности. [27]
 |
Бесконтактные комбинаторные коммутаторы. механоэлек. [28] |
В связи с тем, что фотоэлементы изменяют свое состояние от воздействия светового потока, конструкцию коммутатора необходимо предусмотреть так, чтобы в результате - перемещения шин от воздействия управляющих сигналов на вход фотоэлементов поступал световой сигнал. [29]
 |
Изменение относительной спектральной чувствительности сернисто-свинцовых фоторезисторов при охлаждении.| Частотные характеристики фоторезисторов. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5