У-центр
Cтраница 1
У-центры [24, 25] также могли бы образовывать внутренние центры и агрегаты, но энергия диссоциации таких агрегатов должна быть значительно меньше, чем у агрегатов F-центров соответствующего размера. Однако с помощью У-центров можно попытаться объяснить природу включений брома в кристаллы бромистого серебра, обработанные бромом. Возможно, что этот бром находится во внутренних пустотах кристалла, возникших при разрушении агрегатов V-центров. [1]
У-центрами, и эти процессы, накладываясь на основной процесс обесцвечивания, вызывают отклонения от простого экспоненциального закона в начальный период затухания. [2]
Излучение У-центров существенно возрастало при легировании кристаллов химическими примесями, тогда как излучение А - центров в чистых кристаллах заметно зависело от способа их приготовления. Предполагается, что А - центры здесь обусловлены механическими дефектами. Плотность Аг-центра можно определить из температурной зависимости отношения интенсивностей фосфоресценции А - центра и экситонной фосфоресценции или отношения интенсивностей сигнала в оптическом детектировании магнитного резонанса ( ОДМР) А - центра и экситона. Излучение примесных молекул, таких, как тетрацен в антрацене, обсуждается в разд. [3]
Структурные модели для различных У-центров были предложены Зейтцем [13, 85], который однако подчеркивает, что в настоящее время их нельзя считать в достаточной мере обоснованными [ см. 13 ( а) стр. [4]
Эффективность оптического обесцвечивания убывает с ростом термической стабильности У-центров. При одновременном действии света, длины волн которого соответствуют F - и У-полосам поглощения, эффективность обесцвечивания становится одинаково большой для всех видов У-центров. Понижение температуры вызывает уменьшение ширины F - и У-полос и их смещение в сторону коротких волн. [5]
 |
Модели смещенных F - и Кгцентров. [6] |
Если облучение производят при низких температурах, получается больше У-центров, в то время как при обычных температурах создается больше / - центров. [7]
Перечисленные экспериментальные факты позволяют с достаточной надежностью предположить, что У-центры являются аналогами электронных центров окраски. С химической точки зрения это означает, что если F-центры соответствуют нейтральным атомам щелочного металла, диспергированным в щелочно-галоидном кристалле, то определенные У-центры должны соответствовать диспергированным нейтральным атомам галоида. По аналогии с физической моделью элементарного центра окраски, согласно которой jp - центр представляет собой электрон, ассоциированный с вакантным галоидным узлом, элементарный дырочный центр может быть представлен как положительная дырка, ассоциированная с вакантным катионным узлом. [8]
 |
Зонные диаграммы, поясняющие механизм возникновения РФЛ ( а и РТЛ ( б. [9] |
Блуждая по кристаллу, этот электрон может реком-бинировать с дыркой, локализованной в У-центре ( переход 2); при этом возникает люминесценция. Переход / может быть вызван поглощением излучения ИК-области ( оптически стимулированная люминесценция) и при нагреве кристалла. [10]
Поэтому в первом случае условно говорят об электроне, захваченном анионной вакансией, и для кристаллов типа NaCl называют - центром, а во втором - о дырке, захваченной катионной вакансией, или У-центре. [11]
У-центры [24, 25] также могли бы образовывать внутренние центры и агрегаты, но энергия диссоциации таких агрегатов должна быть значительно меньше, чем у агрегатов F-центров соответствующего размера. Однако с помощью У-центров можно попытаться объяснить природу включений брома в кристаллы бромистого серебра, обработанные бромом. Возможно, что этот бром находится во внутренних пустотах кристалла, возникших при разрушении агрегатов V-центров. [12]
Перечисленные экспериментальные факты позволяют с достаточной надежностью предположить, что У-центры являются аналогами электронных центров окраски. С химической точки зрения это означает, что если F-центры соответствуют нейтральным атомам щелочного металла, диспергированным в щелочно-галоидном кристалле, то определенные У-центры должны соответствовать диспергированным нейтральным атомам галоида. По аналогии с физической моделью элементарного центра окраски, согласно которой jp - центр представляет собой электрон, ассоциированный с вакантным галоидным узлом, элементарный дырочный центр может быть представлен как положительная дырка, ассоциированная с вакантным катионным узлом. [13]
В этом легко убедиться из сопоставления результатов различных авторов. Гормлей и Леви, как уже отмечалось, наблюдали при определенных температурах пики термовысвечивания инфракрасной люминесценции в аддитивно окрашенных кристаллах, в которых У-центров заведомо не имеется. [14]
Эффективность оптического обесцвечивания убывает с ростом термической стабильности У-центров. При одновременном действии света, длины волн которого соответствуют F - и У-полосам поглощения, эффективность обесцвечивания становится одинаково большой для всех видов У-центров. Понижение температуры вызывает уменьшение ширины F - и У-полос и их смещение в сторону коротких волн. [15]
Страницы: 1 2