Cтраница 1
Дисперсия зон Г % ( J 3 / 2) вблизи центра зоны дается выражением (2.62); это выражение было получено в результате ряда упрощений и справедливо только для энергий, малых по сравнению со спин орбитальным расщеплением. [1]
Все перечисленные слагаемые дисперсии зоны выражены в единицах длины во второй степеди. [2]
Все перечисленные слагаемые дисперсии зоны выражены в единицах длины во второй степени. [3]
Оно может быть использовано для вычисления вклада в дисперсию зоны различных явлений, которые стремятся расширить распределение молекул вещества ( молекулярная диффузия, неравномерность спектра скоростей потока газа-носителя, сопротивление массопередаче, см. гл. [4]
Технические условия на аппаратуру для полой капиллярной колонки3. [5] |
Максимальный вклад аппаратуры должен быть малым по сравнению с дисперсией зоны в колонке, чтобы потеря эффективности оставалась приемлемой. Максимальный вклад аппаратуры в размывание зон увеличивается пропорционально длине колонки, кубу диаметра колонки и обратно пропорционально квадрату коэффициента диффузии. [6]
Хроматографическое определение физико-химических свойств веществ основано на измерении параметров удерживания, дисперсии зон или величины сигнала детектора. В работах Вигдергауза и Измайлова [134] и Обри с соавт. [7]
В принципе, член Hk р / т может внести в дисперсию зоны линейный по k член. В полупроводниках со структурой алмаза этот член исчезает из-за правил отбора по четности. Можно показать, что в кристаллах типа цинковой обманки в выбранном базисе линейный ( k - р) - член равен нулю. В кристаллах типа алмаза линейный по k член строго равен нулю из-за правил отбора по четности, однако это не имеет места в кристаллах, в которых отсутствует симметрия инверсии. Однако эти линейные по k члены возникают не только из-за члена k р, а также из-за спин-зависимых членов, которыми мы здесь пренебрегли. Поскольку линейные по k члены относительно несущественны для валентных зон большинства полупроводников, мы не будем их далее учитывать. [8]
Проиллюстрируем их, используя данные самосогласованного ЛППВ-расчета [132], рис. 1.7. Характер дисперсии зон позволяет выделить подполосу низколежащих состояний ( в основном N2s - Tima с примесью В2л - состояний), отделенных запрещенной щелью от полосы гибридизованных р - р-состояний; последнюю можно отнести к смешанной 0-тс-эо - не. Для BN существует семейство межслоевых незанятых состояний, концентрирующихся в области между графитоподоб-ными сетками. [9]
Комбинация уравнений ( 5), ( 7) и ( 15) дает дисперсию зоны, получающуюся в результате различных вкладов, которые имеют место в полой капиллярной колонке. [10]
Зависимость высоты тарелки от продольной диффузии растворенного вещества в подвижной фазе, где DM принят равным 5 - 10 - 2 ом2 - с-1 ( это значение D типично для газовой подвяж ной фазы. [11] |
В первом столбце изображены профили зоны в соответствии с теорией тарелок, из которой следует, что дисперсия зоны не зависит от скорости движения подвижной фазы. Как видно, о прямо пропорциональна скорости передвижения подвижной фазы. [12]
Как указано в главе 1, хроматографическое определение физико-химических свойств веществ осуществляется на основе параметров удерживания, дисперсии зон, а также величины сигнала детектора, причем могут исследоваться характеристики как элюируемых компонентов и неподвижных фаз, так и элюентов. Интересно отметить, что в ряде случаев имеются варианты определения одного и того же свойства на основе различных параметров пиков. [13]
Комбинация уравнений ( 5), ( 11), ( 12) и ( 14) дает дисперсию зоны, элюируемой из насадочной колонки. [14]
В заключение следует отметить -, что выходной сигнал в ПИА - системах является результатом двух процессов, кинетических по природе: физического процессе дисперсии зоны образца в потоке носителя и химического процесса образования новых соединений. [15]