Дисперсия - анизотропия
Cтраница 1
Дисперсия анизотропии зависит от однородности свойств и толщины магнитной пленки по площади матрицы. Эффект магнитострикции в значительной мере ослабляется в случае мелкокристаллической структуры пленки. [1]
Дисперсию анизотропии ПМП вызывает также отклонение конденсируемого потока вещества от нормали к подложке. При малых углах отклонения в результате эффекта самозатенения происходит упорядочение кристаллов в виде цепочек, перпендикулярных плоскости падения атомов на подложку. При относительно больших углах кристаллы меняют ориентацию и приобретают вытянутую форму в плоскости падения потока. [2]
Модель дисперсии анизотропии качественно хорошо объясняла многие общие свойства магнитных пленок. [3]
 |
Доменная структура в тонкой пластинке ортофер. [4] |
В ТМП существует дисперсия анизотропии, приводящая к отклонениям на отдельных участках пленки вектора намагниченности от направления оси легкого намагничивания. Неоднородность пленки может привести к появлению в управляемых доменных структурах так называемых ложных доменов, изменению формы границ, что крайне нежелательно, ибо искажает информацию и уменьшает быстродействие устройства, в котором эти структуры используются. [5]
 |
Сечение пленки, напыленной на шероховатую по - У верхность. [6] |
Ротером [11] было получено выражение для Не с учетом дисперсии анизотропии и размеров кристаллитов. Согласно этому выражению, коэрцитивная сила Не, должна уменьшаться с уменьшением константы кристаллографической анизотропии. [7]
 |
Схема расположе - В ЭТОМ СЛУЧае fb легкогО. [8] |
В то же время указанное явление объясняет одну из причин дисперсии анизотропии магнитной пленки. Для ослабления влияния угла осаждения атомов на свойства магнитных пленок и уменьшения дисперсии анизотропии размеры подложки следует ограничивать, а расстояние испаритель - подложка увеличивать. Применяют подложки со стороной не более 70 мм. Увеличение емкости магнитных матриц возможно, следовательно, за счет уменьшения размеров элементов и повышения плотно-сти размещения ячеек. [9]
В реальных пленках наблюдают локальные изменения направления оси Л, вызванные дисперсией анизотропии ба, возникающей вследствие магнитострикционной, кристаллографической анизотропии и анизотропии формы. [10]
 |
Расположение стенки Блоха ной 1500 А, после приложения вдоль 0 3 Нк, иллюстрирующее течение стенки. [11] |
Объяснение влияния дисперсии намагниченности на макроскопические свойства пленок вначале было основано на модели дисперсии анизотропии. Согласно этой модели считалось, что пленка состоит из большого числа областей, каждая из которых имеет свое собственное направление ЛО и величину Нь - Предполагалось, что между областями не существует ни обменного, ни магнитного взаимодействий, так что макроскопические свойства пленки определяются простым суммированием свойств отдельных областей, определенных с помощью С-В модели. [12]
Следует отметить, что явление доменного расщепления в пленках первоначально было интерпретировано с помощью модели дисперсии анизотропии, разд. Согласно этой модели, при уменьшении поля Н, составляющего угол а с направлением ТО ( рис. 48), М будет вращаться против часовой стрелки только в тех областях, направление ЛО которых отклоняется от среднего направления ЛО на угол, больший чем угол; в остальных областях М вращается по часовой стрелке, создавая остаточную намагниченность пленки, направленную вправо вдоль ЛО. ЛО увеличивается, и лишь только тогда когда а будет больше максимального локального угла дисперсии ЛО, будет наблюдаться вращение М по направлению часовой стрелки в сторону ЛО. По этой причине считалось, что aso дает прямое измерение дисперсии направлений ЛО, что является неправильным. [13]
Согласно С-В теории, вращательный гистерезис существует только для полей, величины которых лежат в диапазоне 0 5 h 1, так как необратимые процессы будут иметь место только в этом диапазоне. Эти экспериментальные результаты были вначале интерпретированы на основе модели дисперсии анизотропии, однако в настоящее время ясно, что корректное объяснение должно основываться на гистерезисе ряби. Изучение вращательного гистерезиса, таким образом, наряду с исследованием мнимой части восприимчивости является методом изучения гистерезиса ряби. В настоящее время нет удовлетворительной количественной теории вращательного гистерезиса, поскольку для этого случая не разработана нелинейная теория гистерезиса ряби намагниченности. [14]
С допустимы небольшие отклонения параметров процесса вакуумного напыления. К недостаткам данного метода следует отнести увеличение поля Hk и дисперсии анизотропии бос, усложнение технологического цикла в связи с конденсацией второго слоя и необходимость точного и оперативного контроля толщины пленок. [15]
Страницы: 1 2