Дисперсия - анизотропия
Cтраница 2
Экспериментально установлено, что наибольшее влияние на амплитуду выходного сигнала при считывании информации с ЦМП оказывают продольные царапины на поверхности подложки. Они ослабляют замкнутый по оси Л магнитный поток и увеличивают локальную дисперсию анизотропии в результате возникновения преимущественного направления намагниченности вдоль риски. Микронеровности и поверхностные дефекты уменьшают рабочий диапазон токов управления ЗЭ. [16]
 |
Схема расположе - В ЭТОМ СЛУЧае fb легкогО. [17] |
В то же время указанное явление объясняет одну из причин дисперсии анизотропии магнитной пленки. Для ослабления влияния угла осаждения атомов на свойства магнитных пленок и уменьшения дисперсии анизотропии размеры подложки следует ограничивать, а расстояние испаритель - подложка увеличивать. Применяют подложки со стороной не более 70 мм. Увеличение емкости магнитных матриц возможно, следовательно, за счет уменьшения размеров элементов и повышения плотно-сти размещения ячеек. [18]
На коэрцитивную силу Яс можно воздействовать, изменяя температуру подложек при конденсации пленок. При температуре подложек выше 300 С и длительном последующем отжиге растут размеры кристаллитов и, как следствие, повышается Нс. Однако этот метод технологического управления магнитными свойствами эффективен при толщине пленок 600 - 1000 А. Расширить диапазон токов управления ЗЭ на дискретных пленках толщиной 1000 А и более этим методом не удается. С ростом Нс увеличивается ее неоднородность, а также поле и дисперсия анизотропии. В связи с этим температуру конденсации выбирают в пределах 250 - 330 С. Последующий низкотемпературный отжиг в магнитном поле эффективно повышает Нс пленок, осажденных при температуре ниже 300 С. [19]
Так, в некоторых случаях допускалось, что области имеют не одноосную анизотропию, а анизотропию, смешанную с двуосной или анизотропию более высокого порядка. Еще более веское возражение против этой модели вызывает предположение, что отдельные области в пленке не взаимодействуют между собой. Из общих соображений следует, что такие области не могут существовать независимо и фактически связаны обменными и магнито-статическими силами. По этим причинам эту проблему в последнее время пытаются решать микромагнитными методами в которых Mai нитные свойства связываются с измеряемой физической структурой пленки, без каких-либо допущений. Хотя микромагнитная теория пока еще и не может количественно предсказать все аспекты поведения магнитной пленки, однако она более приемлема, чем теория дисперсии анизотропии, так как ее основные предположения находятся в лучшем соответствии с физикой процессов. Одним из основных постулатов микромагнитной теории является предположение, что М не зависит от координаты, перпендикулярной плоскости пленки и искомое распределение М является двумерным, причем ( в статическом случае) из-за размагничивающего поля, обусловленного формой пленки, разд. ЗА, М везде параллельна плоскости пленки. Допускается также, что во всей пленке индуцирована однородная по величине и направлению одноосная анизотропия. Предполагается, что пленка состоит из беспорядочно ориентированных, соприкасающихся кристаллитов; каждый кристаллит, наряду с однородной одноосной анизотропией обладает кристаллографической анизотропией, величина и ориентация которой изменяются от кристаллита к кристаллиту. Именно эга изменяющаяся s пространстве локальная анизотропия вызывает отклонение М от заданного направления, которое называется ркбью намагниченности. Одна ко благодаря обменным и магнитостатическим силам, препятствующим резким изменениям М, направление М внутри каждого кристаллита не определяется простым совместным действием однородной одноосной и кристаллографической анизотропии. Именно в этом пункте микромагнитная теория отличается от теории дисперсии анизотропии. [20]
Различают по крайней мере две схемы преобразования ИК-излучения в оптический диапазон. Их отличия определяются поставленной задачей. Для перевода этого ИК-излучения в оптический диапазон используют сложение частот промодулированного и опорного пучков в кристаллах с нелинейной восприимчивостью в режиме коллинеарного синхронизма. Четкость полученного изображения зависит от величины предельной апертуры пучка преобразуемого излучения. Апертура преобразуемого пучка максимальна при касании эллипсоидов индикатрис, определяющих наличие и направление синхронизма. При этом апертура будет больше в случае, когда дисперсия анизотропии коэффициента преломления минимальна. [21]
Так, в некоторых случаях допускалось, что области имеют не одноосную анизотропию, а анизотропию, смешанную с двуосной или анизотропию более высокого порядка. Еще более веское возражение против этой модели вызывает предположение, что отдельные области в пленке не взаимодействуют между собой. Из общих соображений следует, что такие области не могут существовать независимо и фактически связаны обменными и магнито-статическими силами. По этим причинам эту проблему в последнее время пытаются решать микромагнитными методами в которых Mai нитные свойства связываются с измеряемой физической структурой пленки, без каких-либо допущений. Хотя микромагнитная теория пока еще и не может количественно предсказать все аспекты поведения магнитной пленки, однако она более приемлема, чем теория дисперсии анизотропии, так как ее основные предположения находятся в лучшем соответствии с физикой процессов. Одним из основных постулатов микромагнитной теории является предположение, что М не зависит от координаты, перпендикулярной плоскости пленки и искомое распределение М является двумерным, причем ( в статическом случае) из-за размагничивающего поля, обусловленного формой пленки, разд. ЗА, М везде параллельна плоскости пленки. Допускается также, что во всей пленке индуцирована однородная по величине и направлению одноосная анизотропия. Предполагается, что пленка состоит из беспорядочно ориентированных, соприкасающихся кристаллитов; каждый кристаллит, наряду с однородной одноосной анизотропией обладает кристаллографической анизотропией, величина и ориентация которой изменяются от кристаллита к кристаллиту. Именно эга изменяющаяся s пространстве локальная анизотропия вызывает отклонение М от заданного направления, которое называется ркбью намагниченности. Одна ко благодаря обменным и магнитостатическим силам, препятствующим резким изменениям М, направление М внутри каждого кристаллита не определяется простым совместным действием однородной одноосной и кристаллографической анизотропии. Именно в этом пункте микромагнитная теория отличается от теории дисперсии анизотропии. [22]
Страницы: 1 2