Cтраница 1
Сравнительные анализы ориентирующего воздействия различных видов деформирования [13, 14] приводят к выводу о более благоприятном влиянии в этом плане продольного течения. [1]
В этом случае под влиянием ориентирующего воздействия подкладки - - слюды - возникла гексагональная структура серебра, монокристальная пленка которого оказалась ориентированной плоскостью базиса параллельно подкладке. [2]
Известно [4, 5], что чем сильнее ориентирующее воздействие на молекулы битума минеральной поверхности, тем выше температура его перехода в упругое состояние. Однако в упругом состоянии прочность, модуль упругости и предельное относительное удлинение вяжущих повышаются. [3]
Структура высших спиртов и кислот в жидком состоянии определяется одновременно ориентирующим воздействием формы молекулы и наличием направленных молекулярных сил. В этих условиях преобладающее влияние на теплопроводность оказывает обычное, вандерваальсовское взаимодействие между молекулами, типичное для неассоциированкых жидкостей. [4]
В другом предельном случае анизотропного вращения, при достаточно слабом ориентирующем воздействии среды, когда степени упорядоченности Зц близки к нулю, а компоненты тензоров g, A - к изотропным константам, зависимость ширин АН ( т) от ориентации должна быть слабой и поэтому должна приводить к небольшому искажению формы спектра. [5]
С другой стороны, обладая спиновым магнитным моментом, электрон испытывает ориентирующее воздействие Н, что соответствует парамагнитному эффекту. [6]
Наиболее убедительным нам представляется объяснение Дьюлаи [91-93], который считает, что благодаря ориентирующему воздействию поверхности гетерополярных кристаллов к ней притягиваются находящиеся в растворе ионы вместе со своими гидратными оболочками. [7]
Особый интерес представляет интерметаллид MnBi, так как введением его тончайшего порошка в пластмассы ( под ориентирующим воздействием внешнего магнитного поля) могут быть созданы сильные постоянные магниты любой формы, легко поддающиеся последующей механической обработке и не проводящие электрический ток. [8]
Особый интерес представляет интерметаллид MnBi, так как введением его тончайшего порошка в пластмассы ( под ориентирующим воздействием внешнего магнитного поля) могут быть созданы сильные постоянные магниты любой формы, легко поддающиеся последующей механической обработке и не проводящие электрический ток. [9]
По-видимому, оптимальным НОМИД явился бы материал, сформированный из полярных строительных элементов, степень ориентации которых определяется характером ориентирующего воздействия, а стабильность сохранения индуцированной оптической анизотропии обусловлена характером взаимодействия между основными строительными элементами. [10]
Мы уже говорили о том, что ориентация коллоидных частиц в электрическом и магнитном полях имеет то существенное преимущество перед ориентацией в потоке, что ориентирующее воздействие поля может быть наложено и прекращено практически мгновенно. Таким образом, имеется возможность изучать не только стационарные состояния ориентации, но и переходные состояния, прежде всего спонтанную разориентацию частиц под действием броуновского движения. При данной форме частиц броуновское движение однозначно связано с их размерами, которые и могут быть определены рассматриваемым методом. [11]
В этой формуле ярко проявляется тот факт, что поляризация твердых диполей не представляет собой внутримолекулярного процесса, как в случае диполей квазиупругих, а определяется соотношением между ориентирующим воздействием электрического поля и дезориентирующим воздействием теплового движения. [12]
В этой формуле ярко проявляется тот факт, что поляризация твердых диполей не представляет собою внутримолекулярного процесса, как в случае диполей квазиупругих, а определяется соотношением между ориентирующим воздействием электрического поля и дезориентирующим воздействием теплового движения. [13]
В этой формуле ярко проявляется тот факт, что поляризация твердых диполей не представляет собой внутримолекулярного процесса, как в случае диполей квазиупругих, а определяется соотношением между ориентирующим воздействием электрического поля и дезориентирующим воздействием теплового движения. [14]
Подлежат безусловной отработке методы получения монокристаллических тонких пленок различными вариантами жидкостной и молекулярно-лучевон эпитаксии, катодного распыления в контролируемой атмосфере, направленного испарения, например электронно-лучевого, и др. Большую актуальность приобретает изучение ускоряющего и ориентирующего воздействия постоянных электрических и магнитных полей при выращивании кристаллов и пленок с дипольным или ( и) спиновым упорядочением структуры. Особого внимания требует отработка технологии получения многослойных структур ( включая многослойные пленки Ленгмю-ра - Блоджетт [97], которая позволит в перспективе рассчитывать на создание оптоэлектронных СБИС и микропроцессоров, потенциально обладающих большим быстродействием ( до 10 2 - 1013 циклов / с) и более помехоустойчивых, чем монопольно используемые в настоящее время их полупроводниковые аналоги-предшественники. [15]