Скрытое изображение

Cтраница 2

Первоначальное скрытое изображение в фотографическом слое образуется при попадании света на гранулы бромида серебра, суспендированные в желатиновой эмульсии. Примеси сульфид-иона в гранулах, очевидно, катализируют поглощение света, создавая напряжения в кристаллах. [16]

Эффективное скрытое изображение должно состоять из частиц серебра, размеры которых лежат между двумя только что указанными границами. Соляризация, как результат двух последовательных превращений, появляется тогда, когда число микрокристаллов, несущих по крайней ( мере одну частицу серебра надлежащих размеров, перестает увеличиваться и начинает падать. [17]

Однако скрытое изображение, представленное кривой 2, может быть значительным только при наличии большого числа внутренних ловушек. [18]

Стабилизировать скрытые изображения можно, применяя усиление золотом или ртутью. [19]

Проявляют скрытое изображение полностью отфиксированного ( в щелочном фиксаже) и хорошо промытого фотографич. Изображение получается слабым ( с малыми оптич. [20]

Микрофотографии мелкозернистого и крупнозернистого фотослоев. [21]

Центры скрытого изображения при накоплении определенного количества атомов серебра становятся центрами проявления. [22]

Серебро скрытого изображения имеет меньшее окружение отрицательно заряженных ионов галогена и, следовательно, меньший отрицательный заряд. На этом участке проявляющее вещество получает возможность преодолеть электростатическое отталкивание и вступить в контакт или адсорбироваться на серебре. При этом скрытое изображение является исходным пунктом, от которого процесс восстановления металлического серебра распространяется на весь кристалл. Благодаря скрытому изображению в кристалле, процесс его восстановления протекает значительно быстрее, чем восстановление не затронутого светом кристалла. Процесс проявления носит автокаталитический характер, так как количество восстановленного серебра все время увеличивается, что влечет за собой и увеличение скорости проявления. В результате проявления число атомов металлического серебра изображения увеличивается в десятки миллиардов раз по сравнению с их числом в скрытом изображении. Проявляющее вещество, адсорбируясь на серебряном центре микрокристалла, передает ему электроны. Получив избыток электронов, серебряный центр в свою очередь притягивает к себе междуузельные ионы серебра, восстанавливающиеся на нем до атомов серебра. [23]

Центры скрытого изображения, образовавшиеся по механизму ( 1), служат ловушками для фотоэлектронов, освобождающихся при нагревании внутри микрокристалла. После захвата фотоэлектронов такая ловушка нейтрализуется междоузельными ионами серебра или вакантными анионными узлами, после чего весь процесс повторяется. [24]

Центры скрытого изображения могут быть разрушены длинноволновым - красным или инфракрасным - излучением. При действии красного света на засвеченные кристаллы галоидного серебра наблюдается внутр. Затем из центра выделяются ионы Agh, в результате чего он разрушается. [25]

Центры скрытого изображения в экспонированных фотографических зернах, выявленные путем проявления в восстановительном растворе золота. [26]

Образование скрытого изображения на фотографической пластинке вследствие проникновения в эмульсию движущихся ионов - явление трудно объяснимое, а производство однородной высокочувствительной эмульсии - процесс весьма сложный. На интенсивность изображения влияют следующие факторы: возникновение излучения и вторичных электронов в процессе торможения ионов, разрыв связей в галогенном соединении серебра при движении иона и химические эффекты, вызванные присутствием материала ионного пучка в эмульсии. В некоторых случаях химические эффекты обусловливают повышение чувствительности при проявлении, а иногда снижают ее. То обстоятельство, что бомбардирующая частица несет заряд, лишь незначительно влияет на интенсивность изображения; нейтральные частицы оказывают почти такое же действие на образование скрытого изображения. [27]

Зарождение скрытого изображения в слое фоторезиста в процессе экспонирования в системе: источник света - фотошаблон - фоторезист - подложка и последующая реализация этого изображения при проявлении, а также предельные возможности контактной фотолитографии во многом зависят от оптических эффектов в системе. Среди оптических явлений, влияющих на процесс экспонирования, в первую очередь следует отметить дифракционные явления, эффекты отражения, интерференцию. Именно эти эффекты будут определять предельную возможность контактной фотолитографии по разрешающей способности и те побочные явления, которые приводят к деформации изображения или появлению технологического брака, снижающего выход фотолитографического процесса. В этом плане представляет интерес проследить кинетику зарождения изображения в пленке фоторезиста и последующей его реализации при проявлении, оценить удельное влияние каждого явления для воспроизведения элементов различных геометрических размеров и сформулировать основные требования высокоточного воспроизведения геометрических размеров элементов. [28]

Теория скрытого изображения ученых Герни и Мотта исходит из уже констатированного факта, что в реакции AgX hv образуются пары электрон - дырка. Электроны и дырки независимо друг от друга в разных местах кристалла AgX улавливаются и нейтрализуются. [29]

Центры скрытого изображения образуются далее: а) группировкой атомов серебра на свободной поверхности эмульсионного микрокристалла, б) группировкой атомов серебра на внутренних поверхностях, границах зерен и линейных смещениях и в) образованием агрегатов / - центров внутри галоидного серебра. Если центр, способный захватывать электроны, уже образовался, то дальнейший его рост может протекать либо путем термической диффузии нейтральных центров, либо путем захвата электронов с последующей миграцией междуузельных ионов серебра или вакантных галоидных узлов. Если центры, образовавшиеся таким образом на свободной поверхности микрокристалла галоидного серебра, малы, то они должны быть неустойчивы и подвержены рассасыванию в результате теплового движения, а также должны разрушаться под совместным влиянием атмосферного кислорода и влажности. Центры, образовавшиеся механизмом б, были бы защищены от окислительной регрессии. Таким образом, по указанным выше причинам, а также вследствие регрессии, вызываемой атомами брома, образование центров описанных типов не может происходить с высоким квантовым выходом. [30]

Страницы: 1 2 3 4