Cтраница 2
Тот факт, что внутреннее скрытое изображение не регрессирует, позволяет сделать важный вывод, относящийся к регрессии поверхностного скрытого изображения. Если бы регрессия поверхностного скрытого изображения вызывалась бромом, постепенно освобождающимся из глубины кристаллов, то этот бром должен был бы в такой же или даже в большей степени воздействовать на внутреннее скрытое изображение. Поскольку этот вывод противоречит опыту, то бром не может служить причиной регрессии поверхностного скрытого изображения. [16]
Это является доказательством образования внутреннего скрытого изображения путем выделения серебра на границах субструктуры. [17]
В области больших плотностей внутреннего скрытого изображения достаточно продолжительное созревание увеличивает градиент кривой. [18]
Эмульсии, не содержащие внутреннего скрытого изображения после освещения при - 186, содержат весьма значительное количество поверхностного скрытого изображения. [19]
Количественная оценка степени разрушения внутреннего скрытого изображения может быть произведена только путем сравнения с испытательными полосками, проявленными в условиях, обеспечивающих полную сохранность внутреннего скрытого изображения. Неокисленные полоски непригодны в качестве такого эталона, так как внутреннее скрытое изображение будет замаскировано проявлением поверхностного изображения. [20]
Такой механизм объясняет разрушение внутреннего скрытого изображения бромом и хлором в бромистых эмульсиях и хлором в хлористых эмульсиях. Однако разрушение внутреннего скрытого изображения бромом и иодом в хлористых эмульсиях и иодом в бромистых эмульсиях должно протекать согласно другому механизму. В этих случаях вероятность захвата электрона иона галоида соседним адсорбированным атомом галоида мала. Однако в этом случае различия в произведении растворимости гало-генидов серебра столь велики, что ничтожные равновесные концентрации, например иодистоводородной кислоты, присутствующей в растворе иода, могут вызвать быстрое замещение ионов хлора и брома в поверхности микрокристалла на ионы иода. Эта реакция может привести к обнажению центров внутреннего скрытого изображения с последующим быстрым их разрушением. Такой механизм предполагает расходование больших количеств галоида и может объяснить относительно высокую концентрацию брома и иода, необходимую для разрушения внутреннего скрытого изображения в хлористой эмульсии. [21]
В случаях Б и В внутреннее скрытое изображение образуется во время нагревания перед освещением красным светом. [22]
Однако слегка вогнутая кривая 3 внутреннего скрытого изображения в отсутствие азотистокислого натрия заменяется на выпуклую к оси абсцисс кривую 4 в присутствии акцептора. Следовательно, только при длительном экспонировании наблюдается незначительная сенсибилизация внутреннего скрытого изображения. [23]
Согласно второму предположению, ослабление внутреннего скрытого изображения в результате созревания обусловлено рассасыванием некоторых внутренних центров светочувствительности и, следовательно, эффект Гершеля должен был бы уменьшаться с увеличением времени химического созревания. [24]
![]() |
Прямое сульфидирование эмульсии А. Поверхностное проявление. [25] |
Обработка сульфидом оказывает противоположное действие на внутреннее скрытое изображение. [26]
С - суммарное к В - внутреннее скрытое изображение. [27]
В настоящей работе показано, что внутреннее скрытое изображение не подвержено регрессии или, по крайней мере, что оно регрессирует со значительно меньшей скоростью, чем поверхностное скрытое изображение. Сказанное относится, конечно, только к регрессии после освещения. Во время самого освещения внутреннее скрытое изображение также должно регрессировать, но такая регрессия является, по нашей терминологии, не естественной регрессией, а собственно регрессией. Работа по дальнейшей проверке этой концепции продолжается. Пока естественно будет придерживаться понятия собственно регрессии ( или бромной регрессии), поскольку внутреннему скрытому изображению присуще отклонение от закона взаимо-замествмости, причиной которого в этом случае может быть только ребромирование. [28]
Степень разрушающего воздействия этих окислителей на внутреннее скрытое изображение, расположенное на различных уровнях под поверхностью эмульсионных микрокристаллов, исследовалась путем окисления во все более жестких условиях и последующего проявления в подповерхностных и глубинных проявителях. [29]
Тот факт, что эффективность образования внутреннего скрытого изображения остается низкой при всех условиях освещения или химического состава окружающей среды, указывает на правильность этого предположения. [30]