Эмиссионное изображение

Cтраница 2

Зависимость степени заполнения поверхности адсорбента диадсорбированными молекулами от приведенного давления при различных длинах ( S цепочек из атомов адсорбента. [16]

Эмиссионные изображения объяснены как проекция трех областей, где полностью заполненные орбитами инертных атомов газа, создающего изображение, могут легко перекрываться с частично заполненными негибридизованными или гибридизованными орбиталями атомов на поверхности металла. Этим путем становится возможным предсказать распределение интенсивности на изображении. Если такая новая интерпретация эмиссионного изображения правильна, то она является, с одной стороны, важным аргументом в пользу предположения о том, что атомы на поверхности металла сохраняют до некоторой степени свой индивидуальный характер, и с другой - более или менее прямым экспериментальным доказательством существования различных типов орбиталей, направленных от индивидуальных атомов металла в газовую фазу. [17]

Как уже было отмечено в разделе V, работа выхода металла, характеризующая энергию, необходимую для удаления из него электрона, и в то же время сродство этого металла к электрону во многих случаях оказывает значительное влияние на величину теплоты хемосорбции. Истинная величина работы выхода различна для разных кристаллографических граней металла. Это положение качественно весьма эффектно демонстрируется эмиссионными изображениями, получаемыми при помощи мюл-леровского электронного проектора. В 1937 г. Мюллер [210], изучая автоэлектронную эмиссию с вольфрамового монокристаллического острия, наблюдал, что грань 110 обладает наиболее слабой эмиссией электронов. [18]

V, работа выхода металла, характеризующая энергию, необходимую для удаления из него электрона, и в то же время сродство этого металла к электрону во многих случаях оказывает значительное влияние на величину теплоты хемосорбции. Истинная величина работы выхода различна для разных кристаллографических граней металла. Это положение качественно весьма эффектно демонстрируется - эмиссионными изображениями, получаемыми при помощи мюл-леровского электронного проектора. В 1937 г. Мюллер [210], изучая автоэлектронную эмиссию с вольфрамового монокристаллического острия, наблюдал, что грань 110 обладает наиболее слабой эмиссией электронов. [19]

Принцип действия ортикона с переносом изображения также основан на внешнем фотоэффекте и вторичной эмиссии. На рис. 234 а показана его конструкция. Объект проецируется иа полупрозрачный фотокатод, в результате чего за катодом образуется распределение эмнттирхе-мых им электронов, соответствующее структуре изображения. Это эмиссионное изображение благодаря маг нитпому полю фокусирующей катушки с отношением 1: 1 проецируется на накопительную пластину - двустороннюю мишень. Фотоэлектроны, несущие информацию о изображении, ускоряются до энергии около 500 эв и, падая на мишень, высвобождают из нее вторичные электроны ( 6il), создавая на поверхности мишени зарядный ( положительный) рельеф, который является зеркальным изображением первичного изображения. Вторичные электроны при этом отсасываются тонкой металлической сеткой, расположенной на расстоянии от 20 до 50 мкм перед накопительной сеткой и имеющей большую проницаемость ( 75 %) для быстрых фотоэлектронов. [20]

Этот шаг был сделан Мюллером [68] в 1951 г. В его ионном проекторе, управляемом обычным способом, объект находится в атмосфере гелия. Поэтому для получения изображения налагают поле, достаточное для того, чтобы вызвать ионизацию гелия на поверхности, но не в свободном объеме. Образующиеся таким образом ионы ускоряются вдоль силовых линий в направлении флуоресцентного экрана, и на нем вырисовываются те ме-ета поверхности, которые характеризуются наивысшей скоростью ионизации. В то время как эмиссионное изображение выявляет лишь изменения интенсивности в зависимости от ориентации, ионное изображение указывает на расположение отдельных наиболее выступающих атомов поверхности. Несмотря на такое поразительное разрешение, использование ионного проектора для исследования адсорбции дает весьма неопределенные результаты вследствие того, что 1) еще не установлены условия, в которых атомы и молекулы адсорбированного газа становятся видимыми; 2) при наблюдении деталей атомного масштаба с помощью гелия адсорбированный газ может удаляться с поверхности; 3) даже если адсорбированный слой оказывается видимым, совместное действие адсорбции и приложенного поля может вывести поверхность из ее нормального состояния. [21]

При подаче на анод положит, потенциала в неск. При прогреве острия кончик его становится монокристаллическим и приобретает округленную форму. Электроны, ускоряясь в радиальном направлении, проектируют на экране увеличенное эмиссионное изображение поверхности катода, отражающее симметрию кристаллич. [22]

Мюллер [11] отмечает следующие свойства углерода, адсорбированного на вольфраме. Углерод может быть осажден на вольфрам либо разложением паров органических веществ на накаленном острие, либо возгонкой угольной нити. В последнем случае углерод, осаждающийся на холодном вольфраме, образует кристаллиты на всех гранях; вследствие наличия у этих кристаллитов острых углов происходит повышенная автохолодная эмиссия. При 1000 К углерод свободно мигрирует по поверхности и создает характерное эмиссионное изображение. Это изображение несколько изменяется в зависимости от количества осажденного углерода. При некоторой критической температуре эти грани ( 334) внезапно становятся светлыми, но при снижении температуры снова темнеют. Критическая температура варьирует в пределах от 900 до 1500 К, возрастая с увеличением концентрации углерода. Данное явление, по-видимому, обязано своим происхождением плавлению поверхностного кристалла углерода на тех гранях, где между расположением атомов вольфрама и углерода имеется точное соответствие. Все эти изменения изображения возникают вследствие изменений в работе выхода, вызванных адсорбированным углеродом, перегруппировкой атомов вольфрама под влиянием углерода и наличием высоких температур. Повышая температуру до 2800 К, поверхность можно очистить от углерода, но последующее нагревание между 1000 и 2000 К снова вызывает появление углерода на поверхности. Это свидетельствует о том, что углерод не только испаряется с поверхности, но также диффундирует внутрь вольфрама. Вольфрам может быть освобожден от загрязнения углеродом только путем многочасового нагревания при 2400 К или более высоких температурах. [23]

Этот опыт проводится следующим образом. Барий напыляют на острие и последнее затем нагревают до температуры, при которой В а легко мигрирует по поверхности, но еще не испаряется с нее. Среднее значение б для бария определяют из средней величины электронной эмиссии и приложенного напряжения, как было описано ранее в разделе III. За тем для десорбции бария прикладывают на определенное время положительное поле. Получаемый эффект, если он имеет место, наблюдают, исследуя электронное эмиссионное изображение, после того как направление электрического поля изменено на обратное. Затем снова прикладывают положительное поле и наблюдают изображение. Эта процедура производится при ряде значений б, и вся серия опытов повторяется при других температурах вольфрама. [24]

Страницы: 1 2