Уравнение - заряд
Cтраница 1
Уравнение заряда, выявляющее связь между зарядом неосновных носителей и токами в электродах транзистора, может быть записано в виде, пригодном для разных режимов транзистора. [1]
Для этого составим уравнение заряда носителей, накопленных у коллекторного перехода. [2]
Это соотношение, называемое уравнением заряда, широко используют при анализе динамических процессов в диоде. [3]
Соотношение (6.3) и представляет собой уравнение заряда. Оно позволяет проанализировать переходные процессы в транзисторе, не прибегая к решению уравнения непрерывности, которое значительно сложнее для использования, так как определяет распределение заряда в базе, в то время как решение уравнения (6.3) дает лишь суммарный заряд базы. Однако для вычисления токов необходимо установить связь между этим зарядом и токами в транзисторе. [4]
Для анализа процесса рассасывания воспользуемся опять уравнением заряда, но в форме ( 15 - 28а), в которой учтен отличный от нуля начальный заряд. [5]
Часто в условиях задачи даны, например, уравнения заряда на обкладках конденсатора, а нужно найти период или частоту колебаний тока в контуре нужно найти циклическую частоту со, которая у них будет одинакова з найти период или частоту. [6]
 |
График функции. [7] |
Определим время рассасывания tp, для чего решим уравнение заряда базы при соответствующих условиях. [8]
Время рассасывания может быть определено либо на основе решения уравнения заряда для избыточных дырок в базе диода Д, либо на основе решения уравнения диффузии. [9]
 |
Распределение дырок в базе при активном, граничном и насыщенном режимах. [10] |
В тех случаях, когда переходные процессы анализируются операторным методом, следует записать уравнение заряда в операторной форме и найти изображение заряда. [11]
Приближенный анализ переходных процессов накопления и рассасывания неравновесных носителей может быть выполнен с помощью уравнения заряда. [12]
Заметим, что ток базы при этом убывает до / бо 0 не скачком, а по мере перезаряда барьерных емкостей эмит-терного и коллекторного переходов, которые в уравнении заряда (3.19) не учитывались. [13]
В динамическом режиме для описания свойств диода также используют ряд моделей. К ним относятся уравнение заряда (3.30), а также динамические вольт-амперные, характеристики и схема замещения диода. [14]
С приходом тактирующего импульса начинается процесс рассасывания неосновных носителей из области базы. Транзисторы, имеющие максимальную величину коэффициента усиления по току ( тах) и соответственно максимальное время жизни неосновных носителей в области базы в режиме насыщения ( Тцтал -), будут накладывать более жесткие условия на процесс рассасывания. Зная закон изменения uci, можно легко выразить ток базы и соответственно с помощью уравнения заряда [3.1] заряд дырок базы. [15]
Страницы: 1 2