Cтраница 2
В начале запирания транзистора 7 начинается процесс заряда конденсатора, вызывающий уменьшение потенциала эмиттера транзистора 7 и изменение направления тока эмиттера на обратное. Ток базы транзистора Tj при этом оказывается равным суммарному току коллектора и эмиттера, а распределение неосновных носителей в базе становится нелинейным. Ток коллектора уменьшается медленнее, чем заряд в базе. Анализ рассматриваемого переходного процесса затруднителен, так как уравнение заряда оказывается нелинейным. [16]
Л-2 /, соответственно велика обратная проводимость. Происходит удаление ( рассасывание) накопленных в базе неосновных носителей вследствие перехода их в эмиттер и рекомбинации. В момент времени № когда на границе базы р ( 0) Рпо ( рис. 2.21) и С / 0 ( рис. 2.20, в), заканчивается первая стадия. В течение первой стадии из базы удаляется большая часть избыточного заряда неосновных носителей. Этот процесс описывается уравнением заряда вида (1.30), где в левую часть надо подставлять заряд QB и эффективное время жизни ( ТБ) неосновных носителей в базе ( электронов или дырок для базы соответственно р - или и-типа), а в правую - отрицательный ток - / обр. [17]