Cтраница 1
![]() |
Диаграмма зон изолятора. [1] |
Уровень Ферми Ер является величиной, определяемой квантовой статистикой Ферми - Дирака [6, 7, 13], которой подчиняются электроны. [2]
Эффект фиксации уровня Ферми Ер в определенном положении для свободных поверхностей и изотипных гетеропереходов изучен довольно подробно в отличие от анизотшшых гетеропереходов, где он проявляется значительно слабее. В последнем случае следствия этого эффекта могут быть совершенно иными, поскольку свойства состояний, обусловливающих фиксированное положение уровня Ферми, существенно отличаются от их свойств на свободной поверхности в зависимости от типа основных носителей ( обычно это состояния акцепторного типа в электронных полупроводниках и донорного типа в дырочных материалах), при этом возможна частичная нейтрализация заряда. Существует, однако, и другое мнение [ Van Ruyven, 1964 ], согласно которому уровни Ферми сохраняют свое фиксированное положение на каждой из двух соединяемых поверхностей, что приводит к образованию диполей на границе раздела. [4]
Интересно выяснить положение уровня Ер в более общем случае, когда Nd того же порядка величины, что и га, но Nd Nc. [5]
Исследована зависимость положения уровня Ферми Ер от дозы облучения различными частицами. [6]
Отсюда видно, что при Т-0 уровень Ферми Ер Ед / 2, т.е. находится посредине между дном зоны проводимости и уровнем доноров. [7]
![]() |
Различные виды плотности состояний, которые, как предполагается, могут осуществляться в аморфных полупроводниках ( области, соответствующие локализованным состояниям, заштрихованы. [8] |
Прыжки носителей между локализованными состояниями, расположенными в зонах вблизи уровня Ферми Ер ( рис. 15.18); эти состояния обусловлены собственными дефектами и посторонними примесями. [9]
Следует отметить, что 8п отрицательна в том случае, когда уровень Ферми Ер расположен внутри зоны проводимости. [10]
В частном случае, когда все заполненные зарядами состояния N ниже уровня Ферми Ер ( в материале n - типа проводимости), N не зависит от смещения и температуры. [11]
Изгиб зон у поверхности происходит потому, что в состоянии равновесия положение уровня Ферми Ер не должно изменяться от объемных слоев до поверхности: следовательно, края зон должны измениться таким образом, чтобы быть совместимыми с закреплением уровня Ер у поверхности и объемным значением Ер вдали от поверхности. [13]
Наконец, в равновесном состоянии процессы излучения уравновешиваются обратным процессом поглощения, при котором атомы переходят с энергетического уровня Ер на уровень Ер 9 Ер - - сд Ev - f - Huq. Число процессов поглощения фотонов с импульсами в интервале от q до q dq в единице объема в единицу времени равно B p qHpN д ( dq), где В р ц - коэффициент поглощения. [14]
Характер кривой намагничивания зонного магнетика ( металла) определяется формой зависимости плотности состояний от энергии g ( E) и положением на ней уровня Ферми Ер. В частности, если в зонном парамагнетике в отсутствие поля в окрестности Ер кривая g ( E) является убывающей функцией с положительной кривизной, то во внешнем магнитном поле при достижении некоторого критического значения Як возможно резкое возрастание магнитного момента. [15]