Уровень - проводимость
Cтраница 1
 |
Образование полиэтилена ( а и полиацстилепа ( б. [1] |
Уровень проводимости полиацетилеиа оказывается низким потому, что в отличие от графита в его сопряженной системе электроны ие полностью делокализованы. Однако введение электроактивных неорганических добавок в полиацетилен вызывает резкое увеличение его проводимости. [2]
Уровень проводимости примесных полупроводников может точно определяться концентрацией вводимой примеси. Это используют при синтезе материалов с определенным уровнем проводимости. Что касается собственных полупроводников, то уровень нх проводимости существенно зависит от температуры и наличия случайных примесей. [3]
Изменить уровень проводимости / - и схемы в Kaj / Bj раз. [4]
При таком выборе К уровень проводимости соответствующей цепной схемы не требует изменения. [5]
Как было отмечено, изменение уровня проводимости приведет также к изменению у22 - каждой цепной схемы. [6]
Хотя здесь применяются термины валентный уровень и уровень проводимости, это отнюдь не означает, что носители делокализованы в том же смысле, как это имеет место в полупроводниках типа германия. В действительности в гомомолекулярных кристаллах ( например, в антрацене) при комнатной температуре носители сильно локализованы, и традиционная одноэлектронная зонная модель не дает адекватного описания всех особенностей проводимости в этих кристаллах ( разд. Именно по этой причине вместо обычного термина зона иногда пользуются термином уровень. Неприменимость зонной теории в одноэлектронном приближении к кристаллам ароматических углеводородов обусловлена сильными поляризационными эффектами в узкозонных полупроводниках. Наличие высокой энергии поляризации само по себе еще не является препятствием для переноса заряда между соседними узлами решетки. Насколько легко такой перенос сможет осуществиться, целиком зависит от отношения энергии поляризации к энергии взаимодействия между ближайшими соседями. Так, например, в молекулярном кристалле типа антрацена энергия межмолекулярного взаимодействия значительно ниже энергии поляризации и носители будут обнаруживать склонность к локализации. В широкозонных материалах типа германия или кремния энергия поляризации меньше энергии межатомного взаимодействия и, следовательно, время переноса заряда между соседними узлами решетки мало. [7]
Для четырехполюсников без потерь это обеспечивается изменением уровня проводимости каждой цепи после ее реализации. Такой же способ применяется и в данном случае, но в ином плане. [8]
После синтеза четырехполюсников № и N6 необходимо изменить уровень проводимости одного из них. Поскольку функции 2i и Yzi6 реализуются с точностью до постоянного множителя, то непосредственно из схем ( полагая р 0 или р оо) вычисляются полученные значения постоянных множителей. [9]
 |
К примеру. [10] |
Следовательир, Я 3 / 2 и необходимо изменить уровень проводимости схемы N6 в 2 / 3 раза. [11]
Иа рис. 14.20 приведена температурная зависимость концентрации носителей и уровень проводимости полупроводниковых материалов, которые при низких температурах являются примесными полупроводниками, а при высокой температуре-собственными. При низких температурах ( область /) концентрация носителей зависит от температуры, так как относительно небольшое различие в энергиях ( - 0 1 эВ) между акцепторными ( донорными) уровнями и краем валентной зоны ( зоны проводимости) могут преодолеть лишь немногие электроны. При возрастании температуры обе зависимости выходят на насыщение ( область 2), когда концентрация примесных носителей принимает максимальное значение. [12]
 |
Типичные диаграммы энергетических уровней. [13] |
Для диэлектрика энергетическое расстояние, разделяющее уровень валентных электронов и уровень проводимости, велико и валентным электронам очень трудно достигнуть уровня проводимости. [14]
 |
Типичные диаграммы энергетических уровней. [15] |
Страницы: 1 2 3 4