Уровень - проводимость
Cтраница 3
Если температурный ход проводимости хорошо воспроизводится, то такого типа полупроводники можно использовать для контроля и измерения температуры. Для достижения хорошей воспроизводимости необходимо использовать материалы, в которых уровень проводимости мало меняется при введении легирующих добавок, например NiO, легированный Fe3O4, Мп2О3 и Со2О3, а также некоторые шпинели. [31]
В полях, напряженность к-рых не превышает 103 в / см, фототек подчиняется закону Ома, а темп-рная зависимость фототока носит экспоненциальный характер. Указанное явление объясняется тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания. [32]
На рис. 20 приведены зависимости фототока от температуры для света различной длины волны, полученные в работе [74] для полиди-фенилдиацетилена. Это связывается с тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания, куда они забрасываются при возбуждении молекул полупроводника светом. Чем меньше длина волны света, тем ближе к зоне проводимости забрасываются носители и тем, соответственно, меньше энергия активации фотопроводимости. Приведенные на рис. 20 данные свидетельствуют о наличии в полимерных полупроводниках ловушек с различной глубиной залегания относительно зоны проводимости. Обычно ловушки носителей связаны либо с примесями, либо с дефектами строения макромолекул или кристаллической структуры полимера. [33]
На рис. 28 приведены зависимости силы фототока от температуры для полидифенилдиацетилена. Это связывается с тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания, куда они забрасываются при возбуждении молекул полупроводника светом. Чем меньше длина волны света, тем ближе к зоне проводимости забрасываются носители и тем, соответственно, меньше энергия активации фотопроводимости. Приведенные на рис. 28 данные свидетельствуют о наличии в полимерных полупроводниках ловушек с различной глубиной залегания относительно зоны проводимости. [34]
Заметим, что протон, так же как и электрон, представляет собой точечный заряд. Wa - к, т / м-н 2о - - g 3g ЕСЛИ учесть, что растворенные в воде соли изменяют уровень проводимости электрона, то согласие с экспериментом становится довольно близким. [35]
Явления, связанные с фотолизом щелочногалогенидных кристаллов, находят в квантовомеханической теории уровней достаточно хорошее объяснение. В этой работе образование центра проявления ( скрытого изображения) представляется как результат последовательного перехода электронов с низких, заполненных уровней на уровень проводимости и затем на дополнительные уровни примесных центров. [36]
Кэрролл и Уэст установили, что возбужденный краситель может потерять свою энергию еще до передачи ее микрокристаллу либо путем флуоресценции, либо путем внутренней конверсии, либо, наконец, путем дезактивации при контакте с другим веществом. Такая дезактивация может быть вызвана десенсибилиза-тором, но последний может также захватить электрон уже после того, как он был поднят на уровень проводимости бромида серебра; ту же роль могут выполнять и группы акцепторов электронов в самом сенсибилизаторе. [37]
Уровень проводимости примесных полупроводников может точно определяться концентрацией вводимой примеси. Это используют при синтезе материалов с определенным уровнем проводимости. Что касается собственных полупроводников, то уровень нх проводимости существенно зависит от температуры и наличия случайных примесей. [38]
AgBr возбуждаются и переходят на более высокий уровень проводимости. Затем, двигаясь в пределах этого уровня проводимости, вступают в контакт с зародышем серебра центра светочувствительности и попадают в ловушку. В результате серебряный центр заряжается отрицательно; этот отрицательный заряд притягивает нек-рые из междуузель-ных ионов серебра, к-рые приближаются к серебряному центру и нейтрализуются электронами, образуя атомы серебра, присоединяющиеся к уже имеющемуся центру. В результате центр светочувствительности вырастает до размера центра проявления, состоящего из 3 - 20 атомов серебра. [39]
 |
Регенеративная схема делителя.| Мультивибратор с общим катодом, дающий пилообразное напряжение. иа частоте 15 75 кгц. [40] |
Вначале имеется интервал, в течение которого сетка нечувствительна. Поэтому для появления анодного тока требуется очень большое напряжение. Непосредственно перед тем как напряжение на сетке достигает уровня проводимости, сетка становится очень чувствительной. [41]
 |
Удельная электрическая проводимость воды в зависимости от давления. 1 - 5 - . 6 - . 7 -. [42] |
Это, следуя [127], может быть объяснено полной диссоциацией воды. Особенности зарегистрированной ЭДС этих ячеек и далекий от металлического уровень проводимости свидетельствуют в пользу ионной природы высокой проводимости сильно сжатой воды в исследованных экстремальных условиях. [43]
Разность энергий у50Фм - х имеет особое значение, поскольку она представляет собой наинизший барьер, который электрон должен преодолеть в электроде, чтобы быть инжектированным в приповерхностную область диэлектрика. Совершенно аналогичное выражение описывает инжекцию дырок в диэлектрик, а именно р 0 1С - Фм, где p Q - наинизший барьер для инжекции дырки. Следует отметить, что валентный и вакуумный уровни и уровень проводимости изгибаются в одинаковой степени, так как разности энергий этих уровней определяются силами связи кристалла, которые не зависят существенно от присутствия небольшого макропотенциала. Электроны, инжектированные в приповерхностную область диэлектрика, должны преодолеть еще дополнительный потенциальный барьер для того, чтобы проникнуть в объем кристалла. [44]
В полях, напряженность к-рых не превышает 103 в. Ома, а темп-рная зависимость фототока носит экспоненциальный характер. Указанное явление объясняется тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания. [45]
Страницы: 1 2 3 4