Уровень - возбуждение
Cтраница 2
Освобождение электрона с уровня возбуждения F-центра не является единственно возможным переходом для возбужденного электрона. Электрон может также вернуться в исходное состояние с отдачей энергии в виде света или тепла. [16]
Переменная ( п указывает квантованный уровень возбуждения гармонического осциллятора нормальной моды. [17]
Одним из способов повышения уровня возбуждения является создание дополнительного шума. Вместе с тем, воздействие на ухудшение бдительности при этом практически не наблюдается, и результаты общей производительности являются противоречивыми: наблюдаются повышенные, неизменные и пониженные уровни производительности. Вероятно, комплексное влияние шума имеет относительный характер. [18]
Хотя выше предполагалось, что уровень возбуждения примеси расположен вне экситонных зон матрицы, обсуждаемый эффект уширения оказался фактически возможным лишь благодаря тому, что в матрице под влиянием экситон-фононного взаимодействия в плотности экситонных состояний появляется хвост. В то же время наличие в кристалле близких или совпадающих по энергии состояний требует, вообще говоря, также учета их конфигурационного взаимодействия. В случае EQ-E М этот эффект мал, так что матрица выступает в качестве диссипативной подсистемы, взаимодействие с которой приводит главным образом к уширению линий примесного поглощения. Однако для высоковозбужденных состояний примеси, энергии которых оказываются внутри какой-либо экситонной зоны матрицы либо попадают в область спектра, отвечающую возбуждению в матрице, например, диссоциированной электрон-дырочной пары, конфигурационное взаимодействие состояний оказывается важным. Как было показано Фано [184], это взаимодействие для подсистемы с дискретным ( в нашем случае это примесь; этот случай рассмотрен в [ 185а ]) и непрерывным ( матрица) спектрами влияет на форму полос поглощения, приводя к так называемым антирезонансам, а также существенно изменяя, в некоторых случаях, характер диссипации примесных возбуждений. Полученные в [184] результаты оказываются полезными также при обсуждении экситонных спектров поглощения в чистых кристаллах ( см. [1856]; там речь идет об экситонном поглощении, которое накладывается на поглощение, обусловленное зона-зонными переходами), а также при рассмотрении механизмов экситон-экситонных столкновений ( гл. [19]
При грубой настройке система регулирования уровня возбуждения устанавливается в исходное минимальное положение. Затем, после включения высокого напряжения, производятся установка необходимого уровня возбуждения, точная подстройка в резонанс контуров предварительного и выходного каскадов и загрузка передатчика с помощью фазовых датчиков и датчика связи. [20]
Заметим, что последняя величина характеризует уровень возбуждения. Отклонение этой зависимости от линейного закона будет свидетельствовать о том, что модель Шокли - Рида не соответствует экспериментальным данным. Кроме того, возможно участие в рекомбинации более чем одного типа рекомбинационных центров. Возможно также, что концентрация рекомбинационных центров не может считаться малой, как в модели Шокли - Рида. [21]
Определить время жизни т, если уровень возбуждения невелик и рекомбинация идет через простые дефекты. [22]
А - управляющий ( бифуркационный) параметр, характеризующий уровень возбуждения активатора и ингибитора. [23]
 |
Диаграмма Смита при отрицательных значениях активного сопротивления.| Зависимость отрицательного сопротивления или проводимости от уровня ВЧ возбуждения. [24] |
С учетом этого обстоятельства в момент включения ( уровень ВЧ возбуждения мал) активное сопротивление цепи будет отрицательным и любой шум на зажимах прибора будет усилен. [25]
Жесткость у физиологически может быть интерпретирована как активность, уровень возбуждения соответствующей системы. В примере с мышцей жесткость понимается прямо как механическая жесткость мышцы. [26]
Обобщенная зависимость отрицательного сопротивления ( проводимости) активного элемента от уровня ВЧ возбуждения на его входе изображена на рис. 4.13. При малом уровне ВЧ возбуждения на активном элементе величина отрицательной проводимости ( сопротивления) максимальна. [27]
При этом они предполагали, что константа диссоциации зависит от уровня возбуждения электронной подсистемы полупроводника, а само явление диссоциации и последующие химические реакции на границе раздела типично неравновесны. [28]
 |
Выход изотопически-селективной многофотонной диссоциации молекул 13CF2HC1 в многочастотном ИК поле при различной плотности энергии первого лазерного импульса. [29] |
На основе изученных закономерностей эволюции колебательного спектра многоатомных молекул при увеличении уровня возбуждения были разработаны различные схемы ИК фотодиссоциации молекул, которые позволяют достичь максимально высокой степени изотопической селективности ( коэффициенты разделения) и выхода диссоциации. [30]
Страницы: 1 2 3 4