Уровень - возбуждение
Cтраница 3
Особенность нелинейных моделей заключается в том, что их параметры зависят от уровня возбуждения. [32]
Таким образом, с понижением температуры кристалла уменьшается вероятность попадания электрона с уровня возбуждения в зону проводимости при неизменном значении коэффициента поглощения в максимуме F-полосы. F-полосе может совсем прекратиться, хотя способность F центров поглгщать свет сохраняется неизменной. Такая интерпретация зависимости кривых спектрального распределения вспышечного действия видимого света от температуры кристалла подтверждается измерениями зависимости интенсивности вспышки от температуры кристалла Опыты проводились следующим образом. Кристалл № С был окрашен рентгеновыми лучами при комнатной температуре, после чего он был охлажден до те, пг-ратуры жидкого воздуха. [33]
Иными словами, при условии соблюдения неравенства (24.6) переход на н - tt уровень возбуждения имеет вероятность, меньшую единицы, и изучение зависимости этой вероятности от скорости электронов представляет большой интерес. [34]
 |
Принципиальная схема блока широкополосного усилителя частотного. [35] |
При отключении высокого напряжения все элементы, участвующие в точной настройке, кроме регулировки уровня возбуждения, остаются на месте. Потенциометр установки уровня возбуждения при этом устанавливается в исходное положение, при котором сопротивление минимально. [36]
 |
Релаксационные кривые фототока в CdS при разной интенсивности света / в %. / - 100. 2 - 5. 3 -. [37] |
В заключение отметим, что S-образное нарастание фотопроводимости ( наряду с зависимостью выхода от уровня возбуждения) используется иногда в качестве указания на двухступенчатый характер возбуждения электронов в CdS. Однако из сказанного выше следует, что эта особенность может быть объяснена и влиянием уровней прилипания при их сильном заполнении в ходе релаксации. [38]
Исследования внимания включают четыре основных аспекта: сознание, пропускная способность и избирательное внимание, уровень возбуждения и управление вниманием. [39]
Резонаторный, или регенеративный, усилитель на газе - это обычный лазер, в котором уровень возбуждения поддерживается чуть ниже порога генерации для данной структуры мод. [40]
Спектральная линия, как линия испускания, так и линия поглощения, обусловленная прямым переходом с уровня возбуждения на нормальный уровень или в обратном направлении без перехода на промежуточные уровни ( напр. [41]
Уровень возбуждения такого кластера ( ЛГ2 - линия) на несколько сотен обратных сантиметров расположен ниже уровня возбуждения одиночного хрома, и кластеры выступают в качестве ловушек. На рис. 5.2 представлена зависимость отношения интенсивности свечения ловушек к интенсивности свечения одиночных ионов хрома от энергии возбуждающего кванта лазера при разных концентрациях с ловушек. Отношение указанных ин-тенсивностей нормировано к единице в центре линии. Из рис. 5.2 следует, что при некоторых значениях екр, которые могут быть связаны с упомянутым выше порогом подвижности, имеет место довольно резкое падение интенсивности переноса. В согласии с идеей Мотта [150], при понижении концентрации примеси значение екр падает. [42]
В этом случае, как и в модели Карда и Янга, значение SeU уменьшается с ростом уровня возбуждения и увеличивается с ростом уровня легирования. [44]
Теоретически для мономолекулярных процессов к простейшей экспоненциальной форме закона высвечивания приходят в предположении, что возвращение электрона с уровня возбуждения на нормальный уровень после акта поглощения происходит по закону случая. [45]
Страницы: 1 2 3 4