Примесный уровень

Cтраница 1

Примесный уровень может принять только один электрон ( или дырку), но принятый электрон ( или дырка) может занять состояние со спином V. Таким образом, состояние оказывается двукратно вырожденным при учете спинового вырождения. Тогда - фактор для электронов на донорных состояниях или дырок на акцепторных состояниях должен быть равен двум; - фактор для дырок на донорных состояниях или электронов на акцепторных состояниях можно вычислить, воспользовавшись соотношениями, аналогичными по форме уравнению (3.5): / Jj - ( - fd 1; / jj / 1 ( индексы а и d относятся к акцепторным и донорным состояниям), g - факторы для дырок на донорных уровнях и электронов на акцепторных уровнях будут равны V. В современной литературе термин фактор спинового вырождения применяют или к величине g, или к величине g 1 в зависимости от того, какая из них больше единицы. Следует отметить, что, если учесть другие механизмы вырождения примесных состояний, кроме спинового, значения - фактора могут получиться больше двух. Например, если примесное состояние отщепляется от разрешенной зоны сложной энергетической структуры, то вырождение состояний в экстремальных точках разрешенной зоны переносится и на примесное состояние. [1]

Возможные пути генерации и рекомбинации носителей. [2]

Электрон сваливается с примесного уровня в заполненную зону1, а затем на освободившееся место падает электрон из зоны проводимости. [3]

Переход электрона с примесного уровня в зону проводимости сопровождается исчезновением нейтрального атома и образованием соответствующего положительного иона. [4]

При очень низких температурах примесный уровень занят электроном. При обычных температурах он пустует, причем на каждый вакантный примесный уровень приходится по одному электрону в зоне проводимости ( фиг. Поэтому такой род примеси носит название донорной примеси. [5]

Для примера отметим, что акцепторный примесный уровень В в Si лежит на 0 045 эв выше потолка валентной зоны, тогда как соответствующий уровень In находится над зоной уже на высоте 0 16 эв. [6]

Результаты изучения фталоциан. шых производных по изие . [7]

При переходе к по-ликристаллическому материалу такой одиночный примесный уровень в монокристаллах превращается в экспоненциальное распределение уровней. В неупорядоченном материале окружение примесного атома или иона неоднородно, и поэтому соответствующее примесное состояние размазывается по энергиям, что приводит к появлению энергетического распределения вместо дискретного уровня. [8]

Если в запрещенной зоне полупроводника п-типа имеется примесный уровень, лежащий ниже уровня Ферми и полностью заполненный электронами, то сечение захвата дырок Sp отрицательно заряженным центром будет во много раз больше, чем сечение захвата электронов Sn нейтральными центрами. [9]

Поглощение света примесными центрами. [10]

На рис. 52 изображен схематический энергетический спектр донор-ного примесного уровня вблизи нижнего края зоны проводимости: стрелками показаны возможные переходы. Спектры поглощения примесного атома должны состоять из одной широкой линии и серии узких, и это действительно наблюдается на опыте. [11]

Различные типы полупроводников. [12]

Если над валентной полосой и близко от нее расположен примесный уровень, не занятый электронами ( 1 на рис. 245, а), то из валентной зоны на этот уровень могут перейти электроны, и в валентной полосе появятся дырки ( обозначенные кружками), в результате чего вещество приобретает свойства полупроводника р-типа. Соответствующие примесные уровни называются акцепторными. [13]

При чрезмерной концентрации акцепторной примеси ( у вырожденного полупроводника) примесный уровень расщепляется и объединяется с валентной зоной и уровень Ферми располагается в валентной зоне. [14]

Процесс перескакивания электронов дополняется при низких концентрациях примесей туннелирова-нием электронов с примесного уровня в згау проводимости. Для моноокиси кремния такое примесное туннелиро-вание считается наиболее важным процессом. Примесями в пленке моноокиси кремния являются островки кремния размером порядка 1 нм, заключенные в матрицу из моно-и двуокиси кремния. [15]

Страницы: 1 2 3 4