Примесный уровень

Cтраница 3

Величина AWplVF - lVB также мала ( около 0 05 эВ), поэтому электроны валентной зоны легко переходят на примесный уровень. При этом в валентной зоне появляется большое число дырок. Они заполняются другими электронами валентной зоны, что сопровождается образованием новых дырок. Следовательно, появляется возможность перемещения электронов в валентной зоне и повышения электропроводности, называемой дырочной. [31]

Для оценки влияния примесных атомов на электропроводность полупроводника необходимо определить изменение полной потенциальной энергии системы при переходе одного электрона с примесного уровня в зону проводимости. Ниже мы не пойдем по этому пути, а просто покажем, что энергия акти-вации донорных примесей не может быть большой отрицательной величиной. [32]

С целью упростить оценки будем считать, что в (4.105) основной вклад вносит одна какая-либо зона fi, однако расстояние примесного уровня до этой зоны значительно превышает ее ширину. [33]

Спектральная зависимость D для распространенных детекторов оптического излучения. [34]

Фотонные детекторы реализуют явление внутреннего фотоэффекта, при котором носители заряда не покидают материал детектора, а переходят в зону проводимости либо с примесного уровня, либо из валентной зоны. [35]

Здесь Ga, Оь - функции Грина для электронов в с-зоне и на примесных уровнях; F и F описывают переход электронов с примесного уровня в с-зону и обратно. [36]

Принципы использования подобных объектов в оптике основаны на закономерном изменении оптических свойств в кристалле с переменной шириной запрещенной зоны или с переменным положением примесного уровня. [37]

К переходам, приводящим к образованию неравновесных носителей, относятся также переходы электронов с примесного уровня в зону проводимости и из валентной зоны на примесный уровень. При каждом из этих переходов растет концентрация носителей только одного знака. [38]

Величина AW / pW / F-H / B также мала ( около 0 05 эВ), поэтому электроны валентной зоны легко переходят на примесный уровень. При этом в валентной зоне появляется большое число дырок. Они заполняются другими электронами валентной зоны, что сопровождается образованием новых дырок. Следовательно, появляется возможность перемещения электронов в валентной зоне и повышения электропроводности, называемой дырочной. Концентрация дырок в полупроводнике р-типа определяется выражением рр - - Na Pi / Va, где Na - концентрация акцепторов. [39]

Возвращение электрона из возбужденного состояния ( в зоне проводимости или на примесном уровне) в состояние с меньшей энергией ( свободный уровень в валентной зоне либо примесный уровень) сопровождается выделением избыточной энергии в виде тепла или излучения. В зависимости от продолжительности времени между возбуждением электрона и испусканием света люминесценцию называют флуоресценцией или фосфоресценцией. Так называемые фосфоры - вещества, способные к катодолюминесцен-ции, - используются для покрытия экранов электронно-лучевых трубок. Люминесцентные вещества - люминофоры - используются также в лазерах. [40]

Для описания примесного оптического поглощения важно знать вид волновой функции примесного состояния, так как он определяет вероятность перехода электрона из одного состояния в другое ( например, с примесного уровня в зону проводимости) и влияет таким образом на коэффициент поглощения. [41]

Объяснение отдельных участков а запрещенная зона. [42]

Из диаграммы ( рис. 2) видно, что необходимо вы-рождение электронно - го газа в материале р - и п-типов, которое возникает тогда, когда размытый в зону примесный уровень сливается с основной зоной. [43]

В этих случаях фотон с энергией Av, не меньшей энергии активации примесной проводимости, либо переводит электрон с донорного уровня в зону проводимости, либо из валентной зоны переводит электрон на акцепторный вакантный примесный уровень. [44]

Вень какой-либо донорной или акцепторной примеси лежит в запрещенной зоне ( глубина залегания этого уровня отсчитывается от дна зоны проводимости или от верха ва-лентной зоны), то при некотором Насыщении материала атомами примеси примесный уровень, размывшись в зону, сливается или даже перекрывается с основной зоной. [45]

Страницы: 1 2 3 4