Демаркационный уровень
Cтраница 1
Демаркационный уровень для электронов был определен как энергетический уровень, находясь на котором электрон имеет равную вероятность термически возбудиться в зону проводимости или захватить свободную дырку. [1]
Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Аналогично, уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [3]
Уровни, лежйщие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Вероятность их заполнения электронами меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично, уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [5]
Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня, являются в основном уровнями ловушек захвата электронов. Вероятность их заполнения меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня, являются в основном уровнями ловушек захвата дырок. [6]
Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Вероятность их заполнения электронами меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [7]
Выражения (3.33) и (3.34) показывают, что в первом приближении дырочный демаркационный уровень Dp совпадает с дырочным квазиуровнем Ферми. По более точному определению, дырочный демаркационный уровень отстоит от дырочного квазиуровня Ферми на такое же расстояние, что и электронный демаркационный уровень от электронного уровня Ферми, причем оба демаркационных уровня сдвинуты в одну и ту же сторону от соответствующих квазиуровней Ферми. Отсюда следует, что если демаркационные уровни смещены относительно соответствующих квазиуровней Ферми, то расстояние между демаркационными уровнями в точности равно расстоянию между квазиуровнями Ферми. [8]
В полупроводнике с собственной проводимостью, когда уровень Ферми, а следовательно, и демаркационный уровень лежат в середине запретной зоны, практически все ловушки являются уровнями прилипания. В сильно легированном полупроводнике, напротив, ловушки ( за исключением очень близких к зонам) являются центрами рекомбинации. [9]
Если в первом приближении пренебречь логарифмическими членами в (26.5) и (26.6), то видно, что демаркационный уровень для дырок отстоит от - у-зоны на расстоянии, равном расстоянию электронного квазиуровня Ферми от с-зоны. Аналогично этому демаркационный уровень для электронов располагается вблизи с-зоны на расстоянии, равном расстоянию дырочного квазиуровня Ферми от у-зоны. [10]
Если в первом приближении пренебречь логарифмическими членами в (26.5) и (26.6), то видно, что демаркационный уровень для дырок отстоит от - у-зоны на расстоянии, равном расстоянию электронного квазиуровня Ферми от с-зоны. Аналогично этому демаркационный уровень для электронов располагается вблизи с-зоны на расстоянии, равном расстоянию дырочного квазиуровня Ферми от у-зоны. [11]
Выражения (3.33) и (3.34) показывают, что в первом приближении дырочный демаркационный уровень Dp совпадает с дырочным квазиуровнем Ферми. По более точному определению, дырочный демаркационный уровень отстоит от дырочного квазиуровня Ферми на такое же расстояние, что и электронный демаркационный уровень от электронного уровня Ферми, причем оба демаркационных уровня сдвинуты в одну и ту же сторону от соответствующих квазиуровней Ферми. Отсюда следует, что если демаркационные уровни смещены относительно соответствующих квазиуровней Ферми, то расстояние между демаркационными уровнями в точности равно расстоянию между квазиуровнями Ферми. [12]
Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Аналогично, уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [13]
Выражения (3.33) и (3.34) показывают, что в первом приближении дырочный демаркационный уровень Dp совпадает с дырочным квазиуровнем Ферми. По более точному определению, дырочный демаркационный уровень отстоит от дырочного квазиуровня Ферми на такое же расстояние, что и электронный демаркационный уровень от электронного уровня Ферми, причем оба демаркационных уровня сдвинуты в одну и ту же сторону от соответствующих квазиуровней Ферми. Отсюда следует, что если демаркационные уровни смещены относительно соответствующих квазиуровней Ферми, то расстояние между демаркационными уровнями в точности равно расстоянию между квазиуровнями Ферми. [14]
Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Вероятность их заполнения электронами меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [15]
Страницы: 1 2