Демаркационный уровень

Cтраница 2

Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня, являются в основном уровнями ловушек захвата электронов. Вероятность их заполнения меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня, являются в основном уровнями ловушек захвата дырок. [16]

Вероятность заполнения энергетических уровней в состоянии термодинамического равновесия ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2 и расположение квазиуровней Ферми или демаркационных уровней для электронов и дырок. [17]

Уровни, лежйщие выше электронного демаркационного уровня или выше квазиуровня Ферми для электронов, являются уровнями захвата электронов. Вероятность их заполнения электронами меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично, уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня или квазиуровня Ферми для дырок, являются уровнями захвата дырок. [18]

Вероятность заполнения энергетических уровней в равновесном состоянии ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2, т. е. при освещении фоторезистора. [19]

Световая, или люкс-амперная характеристика фоторезистора представляет собой зависимость фототока от падающего светового потока, или от освещенности. Фоторезисторы обычно имеют нелинейную световую характеристику. Такая зависимость объясняется смещением квазиуровня Ферми для электронов и электронного демаркационного уровня к зоне проводимости в результате увеличения избыточной концентрации электронов. [20]

Такой перекрестный характер связи между демаркационными уровнями и уровнями Ферми вполне понятен: чем больше, например, дырок в f - зоне ( и, следовательно, чем ближе квазиуровень Ферми для дырок в этой зоне), тем вероятнее конкурирующий с тепловыми забросами электронов захват ими этих дырок. Следовательно, с ростом р лишь все более мелкие ловушки, расположенные близко к с - зоне, будут оставаться уровнями прилипания для электронов. Таким образом, смещение дырочного квазиуровня Ферми к у-зоне должно приводить к смещению электронного демаркационного уровня к с-зоне. [21]

Страницы: 1 2