Cтраница 4
L - низкий уровень напряжения; Н - высокий уровень напряжения; X - неопределенное состояние; H-L - переход из высокого состояния в низкое; L - H - переход из низкого состояния в высокое. [46]
При потенциальном способе отображения код единицы - это высокий уровень напряжения, а код нуля - отсутствие сигнала или низкий его уровень. Уровень напряжения не меняется в течение всего такта работы машины. Форма и амплитуда сигнала при этом во внимание не принимаются, а фиксируется лишь сам факт наличия или отсутствия потенциала. [47]
![]() |
Кривые коррозионно-усталост - [ IMAGE ] Кривые коррозионно-ус. [48] |
Это объясняется тем, что при циклическом деформировании высокий уровень напряжений, действующих в упрочненном концентраторе, приводит к разрушению хрупкого поверхностного слоя. При более низких переменных напряжениях и длительном пребывании образца в коррозионной среде защита осуществляется в основном за счет протекторного действия цинка. [49]
![]() |
Элемент И-НЕ типа ТТЛ.| Транзистор с диодом Шоттки, устраняющим его насыщение, и соответствующее схемное обозначение. [50] |
Через эмиттерный повторитель Т4 на выход схемы подается высокий уровень напряжения. Благодаря эмиттерному повторителю выход схемы в единичном состоянии также является низкоомным и обладает высокой нагрузочной способностью. [51]
L - низкий уровень напряжения; Н - высокий уровень напряжения; X - неопределенное состояние; H-L - переход из высокого состояния в низкое; L-H - переход из низкого состояния в высокое. [52]
При подаче хотя бы на один вход схемы высокого уровня напряжения соответствующий входной транзистор отпирается и теперь падение напряжения на резисторе R определяется практически током открытого транзистора. [53]
Если на коллекторах транзисторов VTl и VT2 одновременно действует высокий уровень напряжения ( К7 и VT2 закрыты), то через базу нагрузочного транзистора УТЪ протекает инжекционный ток / кн. На его коллекторе устанавливается низкий уровень напряжения. [54]
Если Xi l, а лг2 0, то высокий уровень напряжения присутствует на выходе у дешифратора. [55]
![]() |
Схема ЗЭ статического ЗУПВ на биполярных транзисторах ( а. [56] |
В режиме записи информации запись информации осуществляется при подаче высокого уровня напряжения на шины АШх и АШу и установке на разрядных шинах парафазного напряжения. [57]
X - состояние входа безразлично; Н - состояние высокого уровня напряжения; L - состояние низкого уровня напряжения; Z - третье состояние. [58]
![]() |
К определению трещииостойкости изгибаемых 1, виецеит-реиио сжатых 2 и виецеитреиио растииутых 3 предварительно напряженных элементов в стадии I при иеупругой работе бетона сжатой зоны. [59] |
В некоторых предварительно напряженных элементах перед образованием трещин вследствие высокого уровня напряжений в бетоне сжатой зоны развиваются деформации нелинейной ползучести ( при тавровых сечениях с полкой в растянутой зоне, внецентренно сжатых сечениях и др.) - Поскольку сечения остаются плоскими, возникают связи, препятствующие свободному развитию неравномерных по высоте сечения неупругих деформаций, и тогда стесненная ползучесть сопровождается релаксацией напряжений. [60]