Cтраница 1
![]() |
Энергетическая схема электронного перехода. [1] |
Энергетический уровень электрона в ионе А3 зависит от поляризации среды. Можно сказать, что электрон находится в потенциальной яме, которая создана полем иона А3 и самим электроном. Поэтому стационарный энергетический уровень в левой яме лежит выше, чем в правой. Поскольку уровни не совпадают, переход электрона запрещен. Однако поляризация растворителя непрерывно флуктуирует. Это означает, что происходит деформация во времени потенциальных ям рис. 14 и перемещение электронных уровней в ямах. Переход электрона происходит только в резонансном состоянии, когда энергии начального и конечного состояний совпадают. Не останавливаясь на ее формальной стороне, изложим основные результаты. [2]
![]() |
Схема образования молекулярных я-орбиталей.| Системы МО для молекул Н2 ( а и 62 ( 6 68. [3] |
Энергетический уровень электрона при его переходе из АО в МОСВ понижается, а при переходе в МО разр - повышается. [4]
![]() |
Энергетическая схема электронного перехода. [5] |
Энергетический уровень электрона в ионе А3 зависит от поляризации среды. Можно сказать, что электрон находится в потенциальной яме, которая создана полем иона А8 и самим электроном. Поэтому стационарный энергетический уровень в левой яме лежит выше, чем в правой. Поскольку уровни не совпадают, переход электрона запрещен. Однако поляризация растворителя непрерывно флуктуирует. Это означает, что происходит деформация во времени потенциальных ям рис. 14 и перемещение электронных уровней в ямах. Переход электрона происходит только в резонансном состоянии, когда энергии начального и конечного состояний совпадают. Не останавливаясь на ее формальной стороне, изложим основные результаты. [6]
![]() |
Контакт двух полупроводников с разными видами электропроводности.| К вопросу об односторонней электропроводности электронно - дырочного перехода. [7] |
В результате энергетический уровень электронов в металле 2 понижается, а в металле / повышается; в металле 2 образуется избыток положительного заряда, а в металле / - избыток отрицательного заряда. Величина контактной разности потенциалов пропорциональна разности работ выхода. [8]
![]() |
Зеемановское расщепление электронных энергетических уровней в магнитном поле. [9] |
Такое расщепление энергетического уровня электрона, вызванное магнитным полем, носит название эффекта Зеемана. [10]
В результате поляризации энергетический уровень электрона снижается. Если этот уровень до поляризации окружающей среды совпадал с нижней границей свободной зоны, то по мере перераспределения окружающих элементов кристаллической решетки он переходит в запретную зону. Когда электрон движется, он увлекает за собой и созданное им состояние поляризации. При этом поляризуются новые участки кристалла, в которые переместился электрон, тогда как оставленные участки возвращаются в первоначальное состояние. Такие свободные заряды, движущиеся в окружении поляризованной среды, исследовал С. И. Пекар, который назвал их иоляронамл. Поляронные состояния образуют в кристалле сплошную зону, внутри которой полярой движется по тем же законам, как и электрон в свободной зоне, и с подвижностью того же порядка. Необходимо только, чтобы с переходом заряда успевала поляризоваться окружающая его среда. [11]
Электродный потенциал выражает энергетический уровень электронов в данном электроде, точно так же, как ионизационный потенциал выражает энергетический уровень электронов в отдельном атоме, ионе или молекуле. Электроны перемещаются в цепи потому, что в одном электроде их энергетические уровни выше, а в другом электроде имеются более низкие незанятые электронные уровни. Именно в положительном электроде имеются свободные низкие уровни, а в отрицательном более высокие электронные уровни. Следовательно, более положительный электродный потенциал соответствует более низким незанятым уровням электронов, а более отрицательный - высоким занятым уровням. Запомнить эти соотношения легко, пользуясь следующим мнемоническим правилом: электроны заряжены отрицательно, и их избыток на одном из электродов делает его отрицательным, а недостаток на другом - положительным. [12]
Электродный потенциал выражает энергетический уровень электронов в данном электроде, точно так же, как ионизационный потенциал выражает энергетический уровень электронов в отдельном атоме, ионе или молекуле. Электроны перемещаются в цепи потому, что в одном электроде их энергетические уровни выше, а в другом электроде имеются более низкие незанятые электронные уровни. Именно в положительном электроде имеются свободные низкие уровни, а в отрицательном более высокие электронные уровни. Следовательно, более положительный электродный потенциал соответствует более низким незанятым уровням электронов, а более отрицательный-высоким занятым уровням. Запомнить эти соотношения легко, пользуясь следующим мнемоническим правилом: электроны заряжены отрицательно, и их избыток на одном из электродов делает его отрицательным, а недостаток на другом-положительным. [13]
Электродный потенциал выражает энергетический уровень электронов в данном электроде, точно так же, как ионизационный потенциал выражает энергетический уровень электронов в отдельном атоме, ионе или молекуле. Электроны перемещаются в цепи потому, что в одном электроде их энергетические уровни выше, а в другом электроде имеются более низкие незанятые электронные уровни. Именно в положительном электроде имеются свободные низкие уровни, а в отрицательном более высокие электронные уровни. Следовательно, более положительный электродный потенциал соответствует более низким незанятым уровням электронов, а более отрицательный - высоким занятым уровням. Запомнить эти соотношения легко, пользуясь следующим мнемоническим правилом: электроны заряжены отрицательно, и их избыток на одном из электродов делает его отрицательным, а недостаток на другом - положительным. [14]
Отсюда следует, что энергетический уровень электрона при образовании кристалла из отдельных атомов расщепляется в энергетическую зону. Расщеплению в зону подвержены и нормальные и возбужденные энергетические уровни. Таким образом, вместо системы дискретных энергетических уровней энергии, которыми характеризуется отдельный атом, в кристалле появляется система энергетических зон. Ширина энергетической зоны в одном и том же кристалле различна в различных направлениях, поскольку различны межатомные расстояния. [15]