Донорные уровни

Cтраница 2

Интересно отметить, что и акцепторные и донорные уровни золота в германии были обнаружены из измерений спектрального поглощения. Фотоионизация примесей сопровождается также фотопроводимостью, которая иногда может наблюдаться; и потому может быть использована для определения энергии ионизации примесей даже тогда, когда поглощение слишком мало для наблюдения. [16]

Акцепторы берут электроны с некоторых донорных уровней и отсюдя электроны будут перемещаться от занятого донорного уровня к еще свободному. Аморфное вещество может также иметь ловушки, созданные структурными дефектами, причем так много, что они могут определять процессы проводимости. [17]

В этом случае электроны с мелких донорных уровней ( концентрация Nd) перейдут на два нижних акцепторных уровня золота. [18]

Эти связанные с р-зарядом вакансии образуют донорные уровни. [19]

На рис. 210 а, 6 донорные уровни расположены вблизи зоны проводимости, а акцепторные - вблизи заполненной зоны. [20]

Иначе говоря, возвращающихся обратно на пустые донорные уровни. [21]

Полученная в результате наших рассуждений картина донорных уровней в кремнии представлена в табл. 7 и на фиг. [22]

В состоянии теплового равновесия электроны с мелких донорных уровней полностью заполняют верхний акцепторный уровень. Концентрация доноров выбирается такой, чтобы результирующая проводимость базы была электронной. Глубокие уровни при сжатии смещаются к дну зоны проводимости. Следовательно, с ростом давления заполнение акцепторного уровня золота уменьшается и проводимость базы растет. Одновременно происходит уменьшение Eg кремния, что приводит к дополнительному увеличению проводимости базы. Рост проводимости базы S-диода приводит, как обычно, к уменьшению напряжения включения. Эксперименты показали, что изменение остаточного напряжения под действием давления - того же порядка, что и напряжения обычного р - га-перехода при прямом смещении ( при постоянном токе), а напряжение включения изменяется во много раз сильнее. [23]

Зависимости коэффициентов ионизации от напряженности электрического поля для. [24]

Механизм этого поглощения связан с фотоионизацией донорных уровней азота и переходом электронов на более высоколежащие энергетические уровни в зоне проводимости. [25]

Эти связанные с / ьзарядом вакансии образуют донорные уровни. В результате постепенной потери серы будет возникать электронный сульфид свинца со все большей электропроводностью. [26]

Очевидно, что в результате разложения появляются донорные уровни, обусловленные присутствием коллоидных центров. В быстроохлажденных образцах электронные ловушки нарушают равенство между га - числом электронов проводимости и Ne - числом незаполненных донорных уровней. Таким образом, в хороню отожженных образцах Ne n, так что при измерении получают Е / 2, между тем как для быстроохлажденных образцов Ne n, а поэтому измерение дает Е, Ввиду этого было высказано предварительное предположение, что донорные уровни, обусловленные наличием коллоидных центров, в низкотемпературной модификации лежат на 0 78 эв ( термическая энергия), а в высокотемпературной модификации - на 0 56 эв ниже зоны проводимости. Первая из этих величин удовлетворительно совпадает с термическим эквивалентом ( 0 8 эв) оптической энергии фотопроводимости. [27]

Остается неясным, в какой мере существенны донорные уровни золота при статистическом рассмотрении дырочных образцов германия. [28]

Равным образом не вызывает сомнений и близость донорных уровней к валентной зоне и к низшим акцепторным уровням. [29]

Имеется особенность, связанная со статистикой занятия донорных уровней в полупроводнике, которая требует, чтобы их функция распределения несколько отличалась от обычного выражения Ферми - Дирака. Каждый уровень основного состояния донора имеет двукратное спиновое вырождение. Если один из двух имеющихся уровней основного состояния уже занят, то другой не может быть занят, так как необходим только один электрон, чтобы удовлетворить требованиям валентности донор-ного атома. [30]

Страницы: 1 2 3 4