Донорные уровни

Cтраница 3

К определению контактной разности потенциалов. [31]

В примесных полупроводниках с малой глубиной залегания донорных уровней эта энергия может быть очень малой, а энергия для преодоления потенциального барьера, называемая в этом случае внешней работой выхода или сродством к электрону, оказывается в ряде случаев много меньшей работы выхода чистых проводников. [32]

При освещении кристалла записывающим светом электроны возбуждаются с донорных уровней в зону проводимости. После этого часть их захватывается в ловушки, которые перед записью освобождаются за счет предварительного освещения модулятора красным светом. Поскольку внешнее поле во время воздействия записывающего света не прикладывается, пространственное перераспределение электронов, находящихся в зоне проводимости, возможно только за счет диффузии. Однако диффузионный механизм формирования заряда при записи изображения с низкими пространственными частотами значительно уступает по эффективности дрейфовому. [33]

В полупроводнике га-типа такие электроны возникают за счет донорных уровней примеси. Переход электронов в металл приводит к возникновению градиента энергии на расстоянии d, как показано на диаграмме фиг. На ней указано также, что донорные атомы ионизуются. [34]

Эти электроны могут в любое время перейти обратно на донорные уровни. Такой акт возвращения электронов представляет собой один из видов рекомбинации или захвата. Рекомбинация всегда уменьшает концентрацию носителей тока. При неизменных внешних условиях с течением времени наступает состояние равновесия, которому отвечает одинаковое число переходов в единицу времени с. [35]

По мере же поднятия уровня Ферми вверх степень ионизации донорных уровней уменьшается и при ц - 0 поверхностная плотность зарядов практически равна нулю. [36]

Расширение обедненного слоя при наличии акцепторных уровней на поверхности. [37]

Обедненная область образуется в n - области за счет заряженных донорных уровней, а наличие на поверхности отрицательно заряженных акцепторных состояний ослабляет напряженность поля. [38]

Аналогично, если под зоной проводимости на расстоянии R находятся донорные уровни ( фиг. [39]

Для примера рассмотрим, что произойдет в полупроводнике га-типа, донорные уровни которого расположены в непосредственной близости от зоны проводимости, если на поверхности его имеется ряд акцепторных уровней, лежащих ниже уровня Ферми в объеме материала. Данная ситуация изображена на фиг. Электроны из зоны проводимости или с до-норных уровней, если температура так низка, что они оказываются не полностью ионизированными, стремятся заполнить те поверхностные состояния, которые находятся ниже уровня Ферми. [40]

На поверхности германия имеется: большое количество дефектов, образующих локальные акцепторные и донорные уровни, расположенные выше и ниже уровня Ферми соответственно. Уровни, близко расположенные к уровню Ферми, образуют быстро изменяющиеся состояния; далеко расположенные - медленно изменяющиеся состояния. Медленные состояния определяют заряд поверхности и положение уровня Ферми на ней. Поверхность, характеризующаяся более низким, чем в объеме, положением уровня Ферми, имеет избыток медленных акцепторных состояний, заряжающих поверхность отрицательно. Поверхность с избытком донорных медленных состояний, напротив, заряжена положительно и имеет на поверхности более высокое в сравнении с объемом положение уровня Ферми. [41]

Адсорбция молекулы на полупроводнике приводит к появлению локальных акцепторных или донорных уровней в запрещенной зоне кристалла. Удаление электрона с акцепторного уровня или дырки с донорного уровня означает переход хемосорбированной частицы из состояния прочной связи в состояние слабой связи. [42]

Таким образом, донорные примеси за счет эмиссии электронов с донорных уровней в зону проводимости обеспечивают электронную электропроводность полупроводника. Полупроводники, в которых основными носителями заряда являются электроны, называются полупроводниками с электронной электропроводностью. [43]

Так, чем выше температура, тем больше электронов с донорных уровней переходит в зону проводимости и принимает участие в электропроводности. При достаточно высокой температуре в зону переходят практически все электроны с доноров, а при еще более высокой температуре начинается переход электронов из валентной зоны; при этом образуются свободные электроны и дырки, являющиеся носителями тока. Та концентрация электронов и дырок, которая имеется в полупроводнике в состоянии теплового равновесия, называется равновесной. [44]

Чтобы определить излучательное время жизни дырок по отношению к переходу на донорные уровни, необходимо просуммировать скорости рекомбинации для тяжелых и легких дырок. [45]

Страницы: 1 2 3 4