Мелкие уровни

Cтраница 1

Мелкие уровни освобождаются уже при температуре жидкого азота, глубокие - при - f - 300, - f - 400 C. При постепенном нагревании предварительно возбужденного фосфора последовательно освобождаются уровни разной глубины, и интенсивность термолюминесценции то увеличивается, то уменьшается. Кривые, характеризующие зависимость яркости свечения фосфора от температуры, получили название кривых термического высвечивания. Они являются важной характеристикой кристаллофосфоров и могут быть использованы для аналитических целей. [1]

Схема уровней донорной ( а акцепторной ( б примесей.| Зависимость энергии ионизации, примеси мышьяка от концентрации примеси в некотором интервале температур. [2]

Мелкие уровни энергии примеси качественно хорошо описываются водородоподобной моделью. [3]

Однако помимо мелких уровней, определяемых соотношением (21.10) или (21.11), в полупроводниках имеются локальные уровни, лежащие на значительно больших расстояниях от зон энергии. Эти глубокие уровни энергии не могут быть объяснены водородоподобной моделью. Чтобы объяснить существование глубоких уровней энергии, мы должны считать, что электроны в таких атомах примеси слабо взаимодействуют с атомами основного вещества, орбита электрона атома примеси имеет малый радиус. [4]

Однако помимо мелких уровней, определяемых соотношением (21.10) или (21.11), в полупроводнике имеются локальные уровни, лежащие на значительно больших расстояниях от зон энергии. Эти глубокие уровни энергии не могут быть объяснены водородоподобной моделью. [5]

При на-личии мелких уровней прилипания выражения (5.4) остаются справедливыми. [6]

Микро ] отограммы. а Спектр свечения SrS-Ce - фосфора при возбуждении. 1 - при 20 и 2-при 180 С. б спектр свечения попытки SrS Се - 8ш фосфора. 1 - при 20 и 2-при 110 С. Излучение принадлежит Се. е спектр температурного высвечивания SrS-Ce-Sm - фосфора. 1-в интервале от 0 до 130 С. 2-я интервале 110 - 190 С. Излучение принадлежит Sm. [7]

Заполнение глубоких уровней вспышки и мелких уровней фосфоресценции идет с одинаковой относительной скоростью. [8]

Поэтому для определения знака локализованных и термически высвобождаемых зарядов из мелких уровней захвата были сняты спектры ЭПР стекол, облученных при 77 К с последующим нагреванием до 310 К. [9]

При переходе к высокому уровню инжекции в рекомбинации начинают активно участвовать мелкие уровни, концентрация которых у краев зон очень велика. В качестве примера на рис. 5.24 приведены данные исследований [196, 210] зависимости скорости поверхностной рекомбинации в кремнии от интенсивности возбуждающего света, вплоть до лазерного уровня возбуждения. Авторы считают, что за участки 1 и 2 ответственна рекомбинация на глубоких центрах, за участок 3 - рекомбинация на мел ких уровнях и за участок 4 - оже-рекомбинация на глубоких центрах. Как видно из рис. 5.24, абсолютная величина S зависит от условий обработки поверхности. [10]

Изменение избыточной концентрации носителей заряда в полупроводнике при его освещении. [11]

Кроме примесей, создающих уровни рекомбинационных ловушек, в полупроводнике существуют примеси, создающие мелкие уровни, расположенные вблизи либо зоны проводимости, либо валентной зоны. Такие уровни называют уровнями ловушек захвата. Вероятность рекомбинации носителей через уровни ловушек захвата обычно ничтожно мала, поэтому захваченный этой ловушкой носитель вскоре вновь оказывается - переброшенным в прилегающую энергетическую зону в результате тепловой генерации. В этом заключается качественное различие между рекомбинаци-овным и ловушками и ловушками захвата. [12]

Туннельный аффект через туннельного просачива - примесные центры. [13]

Xjv Р, почти не зависят от смещения и могут вызываться лишь переходами на мелкие уровни - доноры с энергией ионизации Sd [ АР и акцепторы с а V N - Эти мелкие уровни образуются основной примесью, создающей свободные носители в и - и р-областях. В туннельных диодах, где га - и р-области вырождены, концентрация основной примеси всегда велика - не меньше ю18 - Ю19 см-3. При таких больших концентрациях примесей образованная ими примесная донорная зона сливается с зоной проводимости, а акцепторная - с валентной зоной, и примесь при любой температуре остается полностью ионизированной. Поэтому в сильно легированных полупроводниках концентрация носителей не убывает с понижением температуры и туннельные диоды, в отличие от других типов приборов, могут работать при сколь угодно низких температурах. [14]

Зависимость температуры, соответствующей максимуму подвижности от концентрации ионов. [15]

Страницы: 1 2 3 4