Cтраница 4
Компьютер, в отличие от игрового автомата, не прекращает игру через две минуты и не требует бросить новую монетку или жетон. Но из-за того, что аркадные игры требуют повышенного напряжения, игрокам надо давать отдохнуть. Поэтому обычно аркадные игры разбивают на более мелкие уровни или миссии, а их, в свою очередь, делят на эпизоды. [46]
Сейчас общепринятой является точка зрения, что наинизший электронный уровень Sica B GaAs является водородоподобным, однако существует возбужденное глубокое состояние, резонансное с зоной проводимости. Наличие А1 в твердом растворе или приложение гидростатического давления приводят к изменению зонной структуры, и резонансное глубокое состояние опускается вглубь запрещенной зоны. Когда глубокое состояние становится по энергии ниже мелких уровней, наступает неустой-чивостъ между мелким и глубоким состояниями. Высказывались соображения [4.7, 4.8], что этот резонансный уровень Si в GaAs ведет себя как глубокий центр вследствие того, что с ним связана большая релаксация решетки. [47]
Структура металлфталоцианинов оказывает значительное влияние на их транспортные свойства. Разупорядоченность структуры приводит к появлению ловушек, которые образуют только мелкие уровни в запрещенной зоне. Однако в поликристаллических материалах велико число молекул, смещенных из равновесных положений, поэтому появляются и глубокие уровни, связанные с ловушками. В пленках были обнаружены дислокации и двумерные дефекты. Дислокации могут приводить к появлению глубоких уровней в запрещенной зоне. С другой стороны, тонкие пленки металлфталоцианинов в большей степени подвержены влиянию газов, чем монокристаллы этих веществ. Поэтому тонкие пленки соответственно не столь химически чистые. В работе [371] была предложена модель для описания электрических явлений переноса в несовершенных кристаллах РсСи. В модели предполагается, что реальный кристалл образован из набора совершенных проводящих дисков, а влияние возмущений, вносимых структурными дефектами в кристалл, рассчитывается на основе информации о нарушении упаковки молекул в кристалле. [48]
Рассмотрим столкновение дейтрона с ядрами, настолько тяжелыми, чтобы их при столкновениях можно было считать их покоящимися. Нейтрон, образованный при распаде дейтрона, может быть захвачен на один из ядерных уровней. Как хорошо известно из боровской модели ядра, число мелких энергетических уровней ( мы увидим, что нейтрон захватывается на относительно мелкие уровни) очень велико. Мы, следовательно, можем предположить, что энергия частиц, образованных при распаде дейтрона, может иметь любое значение в непрерывном интервале. Вероятность процесса зависит, естественно, от конечного состояния. [49]
Последнее утверждение очевидно для величины Vs, которая по определению мала в области дальнодействия. Что же касается величины VL, то в области короткодействия она мала по сравнению либо с Vs, либо с кинетической энергией R-2. Так, для KB его отношение к кинетической энергии порядка R / CLQ С 1; то же справедливо для ядерного притяжения, которое в области дальнодействия порядка кинетической энергии ( мелкие уровни), возрастая с уменьшением расстояния медленнее, чем его квадрат. [50]
Рассмотрим область напряжений вблизи порога токов, ограниченных объемным зарядом. С одной стороны, можно ожидать, что в этом случае будет наблюдаться то же значение М, так как, согласно критерию Роуза и Ламперта, отношение заряда анода к заряду на уровнях, находящихся в тепловом равновесии с зоной проводимости, остается тем же. С другой стороны, критерий Редингтона неприменим, так как мы находимся в области омических токов. В этом случае коэффициент М должен определяться как отношение концентрации пустых центров рекомбинации к концентрации заполненных электронами уровней, находящихся в тепловом равновесии с зоной проводимости. Это отношение численно равно значению Роуза и Ламперта, а также отношению концентраций глубоких и мелких уровней прилипания. Кажущееся несоответствие связано с тем, что в случае, когда вначале прилагается напряжение, уровни nt ( E. Обе модели справедливы при соответствующих условиях. [51]
Повышение температуры кристаллофосфоров способствует переходу электронов из потенциальной ямы в зону проводимости, что ведет к более быстрому высвечиванию фосфоров. При понижении температуры возбужденного кристаллофосфора и последующем его равномерном нагревании имеет место следующая картина 2 3: сначала фосфор разгорается и по достижении некоторого максимума интенсивность свечения уменьшается, достигает минимальной величины и вновь начинает увеличиваться. В результате на кривой температура-интенсивность свечения наблюдается несколько максимумов, после этого кристаллофосфор окончательно затухает, и дальнейшее нагревание не приводит больше к увеличению интенсивности свечения. Это явление обычно объясняют следующим образом. При низкой температуре кристаллофосфора свечение обусловлено рекомбинацией электронов, перешедших в зону проводимости с самых мелких уровней локализации. При дальнейшем нагревании вероятность освобождения с этих уровней электронов и переход их в зону проводимости увеличивается, что приводит к увеличению интенсивности свечения. Падение интенсивности флуоресценции объясняется уменьшением числа электронов на мелких уровнях. Дальнейшее нагревание фосфора вызывает высвобождение электронов с более глубоких уровней, что приводит к новому увеличению интенсивности его фосфоресценции. Подобная картина может повторяться до тех пор, пока самые глубокие уровни не освободятся от электронов. [52]
Повышение температуры кристаллофосфоров способствует переходу электронов из потенциальной ямы в зону проводимости, что ведет к более быстрому высвечиванию фосфоров. При понижении температуры возбужденного кристаллофосфора и последующем его равномерном нагревании имеет место следующая картина 2 3: сначала фосфор разгорается и по достижении некоторого максимума интенсивность свечения уменьшается, достигает минимальной величины и вновь начинает увеличиваться. В результате на кривой температура-интенсивность свечения наблюдается несколько максимумов, после этого кристаллофосфор окончательно затухает, и дальнейшее нагревание не приводит больше к увеличению интенсивности свечения. Это явление обычно объясняют следующим образом. При возбуждении кристаллофосфора электроны захватываются потенциальными ямами или ловушками с различным энергетическим уровнем. При низкой температуре кристаллофосфора свечение обусловлено рекомбинацией электронов, перешедших в зону проводимости с самых мелких уровней локализации. При дальнейшем нагревании вероятность освобождения с этих уровней электронов и переход их в зону проводимости увеличивается, что приводит к увеличению интенсивности свечения. Падение интенсивности флуоресценции объясняется уменьшением числа электронов на мелких уровнях. Дальнейшее нагревание фосфора вызывает высвобождение электронов с более глубоких уровней, что приводит к новому увеличению интенсивности его фосфоресценции. Подобная картина может повторяться до тех пор, пока самые глубокие уровни не освободятся от электронов. [53]
Некоторые фосфоры обладают, помимо мелких уровней локализации, также и системой глубоких уровней, с которых электроны при комнатной температуре не могут освобождаться тепловым путем. Здесь излагается произведенное автором [314] теоретическое рассмотрение вопроса, сделанное в предположении такой же идеализированной схемы, какая была описана для случая естественного затухания фосфора. Отличия, характеризующие класс вспышечных фосфоров, состоят в том, что вместо одной системы уровней определенной глубины предполагается существование двух систем уровней разных глубин. Вследствие присутствия дополнительной системы уровней число дифференциальных уравнений, описывающих кинетику свечения, должно быть теперь равно четырем. Однако специальными опытами, проведенными автором [313], было установлено, что заполнение глубоких и мелких уровней ( по крайней мере, для исследованных SrS-Ce Sm - La-фосфоров) происходит одновременно с одинаковой скоростью. Это обстоятельство позволяет свести данную задачу к случаю фосфора с одной системой уровней. [54]
В той степени, в какой это касается электрических свойств, такое влияние прежде всего приводит к образованию разрешенных энергетических уровней между валентной зоной и зоной проводимости. В идеальном кристалле этот энергетический интервал для электронов запрещен. Однако в кристалле с дефектами решетки в запрещенном интервале энергий существуют разрешенные энергетические состояния. В отличие от энергетических зон электроны или дырки в этих состояниях не свободны: они связаны с дефектом. Ведь и примесные атомы являются дефектами и поэтому связаны с локальными энергетическими уровнями, лежащими в пределах запрещенной зоны. Энергетические уровни примесных атомов, находящиеся вблизи от разрешенных зон, называют мелкими. С мелких уровней электроны или дырки легко могут перейти в соседнюю зону проводимости или валентную зону и таким образом вызвать описанный на примере кремния эффект легирования. Однако ряд примесей дает глубокие уровни, расположенные вблизи середины запрещенной зоны и сравнительно далеко от обеих разрешенных зон. Почти все перечисленные выше дефекты ведут к появлению глубоких уровней. Из-за слишком большого удаления от энергетических зон они не вносят вклад в эффект легирования, т.е. не приводят к увеличению числа носителей заряда в разрешенных зонах, и являются, таким образом, электрически неактивными. [55]