Локальные энергетические уровни

Cтраница 1

Искажение энергетических зон у поверхности полупроводника и образование различных поверхностных слоев. [1]

Локальные энергетические уровни, обусловленные нарушением периодичности кристалла у поверхности полупроводника или примесями на поверхности, называют поверхностными уровнями. [2]

Зонная диаграмма полу - мньшая. ч Для разрыва КОВалвНТ-проводника р-типа нои связи. В германии и кремнии для. [3]

Значит, локальные энергетические уровни акцепторной примеси Ц7а расположены в запрещенной зоне полупроводника вблизи потолка валентной зоны. [4]

В этом случае локальные энергетические уровни расплываются, образуя примесную зону. Этот процесс сопровождается уменьшением энергии ионизации примесных атомов. Такой уровень легирования можно условно назвать средним. Относительно законов распределения носителей заряда по энергиям в примесной зоне и в разрешенных зонах в этом случае a priori ничего сказать нельзя, ибо они зависят от структуры примесной зоны и от относительного числа носителей заряда в разрешенных состояниях. [5]

Несколько подробнее об образовании локальных энергетических уровней и примесных зон в кристаллах и той роли, которую они играют при объяснении свойств полупроводников, пойдет речь в гл. [6]

Соответственно изменяется и положение локальных энергетических уровней в запрещенной полосе. При этом часть уровней в приповерхностном слое, которая была расположена ниже уровня Ферми, оказывается выше его и теряет электроны, передавая их через зону проводимости адсорбированным молекулам. [7]

В подавляющем большинстве случаев рекомбинация происходит через локальные энергетические уровни ( ловушки), образованные примесями и дефектами. Процесс рекомбинации через ловушку осуществляется в два этапа. [8]

Схема энергетических зон для электронов в кристалле диэлектрика. [9]

Примеси приводят к возникновению в запрещенной зоне локальных энергетических уровней, характерных для них. Примесями га-типа называют вещества, при введении которых в кристалл образуются примесные уровни вблизи нижней границы зоны проводимости. [10]

На энергетической диаграмме полупроводника донорные и акцепторные примеси образуют локальные энергетические уровни, лежащие в запрещенной зоне. [11]

При малых концентрациях мелкие примеси создают в запрещенной зоне локальные энергетические уровни. [12]

Генезис полосы проводимости нестехиометрических монокарбидов металлов IVa подгруппы. [13]

В связи с этим возникновение С-дефекта ведет к образованию локальных энергетических уровней, расщепленных в соответствии с симметрией d - орбиталей, образующих связь. Электроны в этих состояниях располагаются вблизи вакансий, занимая связующие состояния неэкранированных Me-Ме - взаимодействий. [14]

Наличие химических примесей в решетке германия может вызвать возникновение локальных энергетических уровней в запрещенном участке между валентной зоной и зоной проводимости. В этих случаях электрон и дырка рассматриваются как слабо связанные на большой водородоподобной орбите. Предполагается, что атомы названных элементов, входя в решетку, замещают нормальные атомы германия. Растворимости элементов III и V групп в германии сравнительно велики. [15]

Страницы: 1 2 3 4