Cтраница 4
Такой переход соответствует переходу из заполненной валентной зоны кристалла на локальный уровень примеси. При этом один из уровней верхней части валентной зоны освобождается и образуется дырка. Переход электрона из валентной зоны на уровни примеси требует меньшей энергии, чем переход их на уровни проводимости кристалла. Атомы примеси в этом случае называются акцепторными, или просто акцепторами, а уровни соответственно акцепторными. Наблюдается дырочная, или р-проводимость, и кристалл является полупроводником р-типа. Локальные уровни электронов образуются не только примесными, но и собственными атомами. Например, переход атома Si в междоузлие вызывает образование двух локальных энергетических уровней: атом в междуузлии действует как донор электронов, а пустой узел как акцептор. [46]
Если четырехвалентный атом кремния замещен атомами элемента III группы периодической системы ( например В), то трех его валентных электронов не хватает для заполнения валентных связей с соседними атомами, и образуется вакантная связь, которая может быть заполнена за счет перехода в вакансию электрона из любой соседней заполненной связи. Такой переход соответствует переходу из заполненной валентной зоны кристалла на локальный уровень примеси. При этом один из уровней верхней части валентной зоны освобождается и образуется дырка. Переход электрона из валентной зоны на уровни примеси требует меньшей энергии, чем переход их на уровни проводимости кристалла. Атомы примеси в этом случае называются акцепторными, или просто акцепторами, а уровни, соответственно, акцепторными. Наблюдается дырочная, или р-проводимость, и кристалл является полупроводником р-типа. Локальные уровни электронов образуются не только примесями, но и собственными атомами. Например, переход атома Si в междуузлие вызывает образование двух локальных энергетических уровней: атом в междуузлии действует как донор электронов, а пустой узел как акцептор. [47]