Cтраница 4
Вес р электронных уровней многоатомных нелинейных молекул согласно теореме Яна - Теллера определяется только мультиплетностью. [46]
Очевидно, что электронные уровни в кольце будут периодическими функциями Xi - % 2 с периодом 2тг, как и в АБ кольце. [47]
Конечно, если электронные уровни являются почти вырожденными по энергии, то S больше не будет хорошим квантовым числом, и ядерные переходы могут наблюдаться между номинально различными уровнями кристаллического поля. [48]
В некоторых молекулах электронные уровни расположены так близко друг от друга, что для электронного перехода достаточен видимый свет. Если уровни удалены друг от друга, то, чтобы вызвать эти переходы, необходимо излучение либо вакуумного УФ, либо даже рентгеновское. Инфракрасное излучение вызывает переходы между колебательными уровнями, радиочастотное излучение - между вращательными. [49]
С С, первоначальные электронные уровни расщепляются вследствие взаимодействия я-электронов. В этой системе четыре электрона, находящиеся на основном уровне, в соответствии с принципом Паули распределяются в двух наиболее низких уровнях. Возбужденный уровень этилена ( разрыхляющая орбита я) также расщепляется на два уровня. Вследствие того что верхний уровень расщепленного основного состояния лежит выше первоначального; уровня, а нижний уровень разрыхляющей орбиты - ниже исходного возбужденного уровня, разность энергий между вновь возникшими уровнями ( например, в молекуле дивинила Н2С - СН - СП СН2) значительно меньше, чем в исходной молекуле этилена. По этой причине полоса поглощения винильной группы смещается в сторону больших длин волн. [50]
В этом случае электронные уровни примесных атомов ( так называемые примесные уровни) могут попасть между занятой и свободной зонами диэлектрика. На рис. 5.11, о представлена ситуация, когда примесные уровни е, е2, е3 заняты и электроны с них могут переходить в свободную зону. Число перешедших электронов, очевидно, пропорционально се - А / г, где А - интервал энергии между верхним занятым примесным и нижним уровнями свободной зоны; с - концентрация примесных атомов. При А А эта величина значительно больше, чем р - 4 / г, даже при малых концентрациях с. Кристалл перестает быть диэлектриком и становится примесным полупроводником донорного типа. [51]
Для выяснения строения электронных уровней таких комплексов необходимо знание потенциалов ионизации донора и электронного сродства акцептора. Однако эти величины ( особенно первую) устанавливают обычно для газообразного состояния вещества. В растворе же потенциал ионизации имеет другие значения. Отсутствие объективных критериев затрудняет обсуждение этого вопроса. [52]
В результате ионизации электронных уровней генерируются электроны. [53]
Вследствие различной структуры электронных уровней указанные величины у различных металлов изменяются по-разному, а значит, контактная разность потенциалов Я) 2Я, - Я2 будет также несколько меняться с температурой. [54]