Подобные уровни

Cтраница 1

Подобные уровни, заполненные электронами, называются донорными. Атомы примесей, поставляющие электроны, называются атомами-донорами. Для перевода электронов с донорных уровней в незаполненную зону проводимости необходима малая энергия & We. Например, для кремния Д 7С 0 054 эв, если примесью является мышьяк. В результате переброса электронов с донорных уровней в зону проводимости в полупроводнике возникает электронная примесная проводимость. Полупроводники такого типа называются электронными или полупроводниками п-типа. [1]

Мероприятия, обеспечивающие поддержание подобных уровней электрической прочности изоляции, и их обоснования описаны в шестой главе. [2]

Энергетические уровни атома меди и металлической меди. [3]

В то время как в свободных атомах электроны находятся на ограниченном числе энергетических уровней или орбиталей, в массе металла подобные уровни занимают только внутренние электроны атомов. Каждая энергетическая зона состоит из множества энергетических уровней, например из всех 4s - или Sd-уровней в случае такого металла, как железо или медь, но эти уровни принадлежат уже не отдельным атомам, а всему металлу. Разность энергий уровней одной зоны очень мала. Уровень одной зоны заполняется электронами в соответствии с принципом Паули, поскольку на одном уровне могут находиться два электрона с противоположными спинами. [4]

Спектральное распределение стимулирующего. [5]

Однако в активированных щелочно-галоидных кристаллах в отличие от чистых помимо уровней захвата, обусловленных тепловыми микродефектами, обнаруживаются также электронные уровни захвата иной природы, существование которых неразрывно связано с введенной в кристалл активирующей примесью. Наличие подобных уровней подтверждается исследованиями спектров поглощения, кривых термического высвечивания и спектрального распределения стимулирующего действия света на свечение рентгенизованных щелочно-галоидных фосфоров, активированных ионами тяжелых металлов. [6]

Энергетическое расстояние их от этой границы таково, что тепловой энергии решетки достаточно или почти достаточно для переноса электрона с них в полосу проводимости. Большая часть подобных уровней обусловлена трещинами, напряжениями или поверхностями раздела в кристалле, но иногда они прямо или косвенно связаны с чуждыми атомами. По природе своей они метастабильны и называются иногда метастабильными уровнями или по характеру поведения уровнями прилипания. Последний термин подчеркивает возможность захвата электрона из полосы проводимости на один из локализованных метастабильных уровней с последующим освобождением электрона за счет тепловых флуктуации решетки. Если уровни первой группы ( уровни загрязнения) принимаются нормально заполненными, то уровни прилипания в нормальном состоянии кристалла свободны. Пространственно те и другие локализованы и не участвуют в периодичности кристалла. [7]

В-третьих, термы, лежащие выше ионизационного потенциала атома, могут сильно взаимодействовать с состояниями непрерывного спектра. В результате этого подобные уровни расширяются и приобретают некоторые черты сплошного спектра. Они дают широкие размытые линии, время их жизни изменяется, а интенсивности зависят от парциального давления свободных электронов в источнике. [8]

Предельно высокие внутренние перенапряжения встречаются сравнительно редко, поэтому можно остановиться на уровне прочности изоляции при напряжении промышленной частоты, равном 2 UK. Мероприятия, обеспечивающие поддержание подобных уровней электрической прочности изоляции, и их обоснования описаны в шестой главе. [9]

Термическая ширина запрещенной зоны меньше на удвоенную энергию полярона, которую можно принять равной - 0 2 эв ( см. разд. Предполагается, что уровни Vzn более или менее похожи на подобные уровни в сульфиде цинка. Поскольку InZn создает аналогичный уровень [129], то предполагается, что уровень VQ находится в том же положении; в этом пункте мы расходимся с Богнером, высказывавшим мнение, что этот уровень следует отождествить с уровнем, наблюдавшимся при - 0 5 эв ниже дна зоны проводимости. Мы считаем, что указанная величина соответствует второму уровню междоузельного цинка. Данные по оптическому поглощению [130-132] и люминесценции [133] восстановленной окиси цинка можно объяснить, исходя из предположения, что второй уровень VQ лежит значительно глубже. [10]

Некоторые примеси создают в полупроводниках примесные уровни, расположенные далеко от границ энергетических зон. Такие уровни называются глубокими. В кремнии и германии подобные уровни создают атомы золота, меди, марганца, железа и др. Эти уровни играют большую роль в протекании процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда. [11]

Величина ЭЭЭ зависит от структурных дефектов приповерхностного слоя материала. При нагревании или других видах возбуждения электроны ( ионы) забрасываются на образовавшиеся локальные уровни. Освобождение их с этих уровней требует гораздо меньшей энергии, чем с нормальных уровней. Подобные уровни известны из зонной теории строения твердого тела и носят название уровней захвата. ЭЭЭ протекает до тех пор, пока не исчезнут дефекты кристаллов, влияющие на образование локальных уровней. [12]

Некоторые типы грибов, способных вызывать ринит и / или астму в воздухе помещений.| Микроорганизмы в воздухе помещений, которые вызывают экзогенно-аллергический альвеолит, связанный с пребыванием в зданиях. [13]

Некоторые из содержащихся в воздухе помещений грибов, обычно считающихся причиной ринитов и астмы, приведены в табл. 44.14. Частички Eurotium и других чрезвычайно ксерофильных видов плесени, содержащиеся в домашней пыли, играют гораздо более важную роль в возникновении ринитов и астмы, чем это считалось раньше. Вызванный грибами аллергический дерматит встречается гораздо реже ринитов и астмы; его причиной могут быть Altemaria, Aspergillus и Cladosporium. Обычно считается, что для развития симптомов ЕАА ( гиперчувствительной пневмонии) необходимо наличие от одного до ста миллионов содержащих аллергены спор на кубический метр воздуха. Подобные уровни загрязнения могут встречаться только в зданиях, где наблюдается бурный рост гриба. [14]

Пределы значений составляют 9 1 - 9 9 эв 4; при этом установлено, что, только применяя специальные методы, например метод моноэнергетического электронного пучка, или пользуясь двойным дифференцированием кривой эффективности ионизации13, можно добиться удовлетворительного согласия со спектроскопическими данными. Далее, двойное дифференцирование и другие методы позволили обнаружить существование энергетических уровней иона CsH6, лежащих в непосредственной близости от потенциала ионизации; высказано предположение, что в этом и заключается причина получения повышенных значений при помощи обычного метода электронного удара. Простирание указанных уровней слишком широкое, чтобы их можно было принять за колебательные уровни, и в настоящее время для их истолкования нет удовлетворительных объяснений. Однако в ионе CeFe подобные уровни должны отсутствовать, так как, пользуясь методом, который для ионизационного потенциала бензола дал значение 9 6 эв, для потенциала ионизации гексафторбензола получают величину 10 эв; последняя хорошо согласуется со значением, найденным спектроскопическим методом. [15]

Страницы: 1 2