Примесные уровни

Cтраница 1

Примесные уровни часто можно рассматривать в предположении, что примесь ведет себя как ядро атома водорода, находящееся в среде с диэлектрической проницаемостью еео, а электрон обладает эффективной массой т ( разд. Это дает хорошо известную серию уровней в запрещенной зоне вблизи ее края. В магнитном поле континуум состояний расщепляется на подзоны Ландау, и примесные уровни также испытывают расщепление, напоминающее эффект Зеемана. Если величина силы, создаваемой полем и действующей на электрон, мала по сравнению с силой кулоновского притяжения, то эффект ограничивается расщеплением уровней. Однако при увеличении поля его центростремительное действие вызывает сжатие атома, и в сильных магнитных полях электронные волновые функции оказываются сильно сжатыми в плоскости, перпендикулярной полю. [1]

Примесные уровни и места прилипания электронов являются источниками, откуда поле особенно легко черпает дополнительные электроны. Чем больше таких уровней, тем более заметно влияние сильного поля. [2]

Примесные уровни обычно располагаются в запретной зоне на расстоянии нескольких десятых или сотых электроновольта от края свободной зоны. Число их равно числу избыточных лтомов, являющихся донорами свободных электронов. [3]

Примесные уровни не являются дискретными даже при очень низких температурах. [4]

Примесные уровни, вводимые в германий различными элементами четвертого ряда периодической таблицы. В дополнение п этим элементам необходимо отметить, что ванадий электрически неактивен или нерастворим в германии. [5]

Примесные уровни, приписываемые дыркам, изображены с помощью специального значка, указывающего на то, что энергия дырок растет сверху вниз и что поэтому на схеме уровней энергии дырки имеют тенденцию занять по возможности более высоколежащие энергетические уровни. [6]

Минимумы волы вроиог димости GaAs1 jJPir для нрявдор ( Г, кривая 1 и непрямого ( iti кривая S переходов в зависимости от состава твердого раствора. [7]

Примесные уровни), имеют существ, недостаток - сильное поглощение излучения внутри кристалла ( коэф. Снижение потерь па межзонное поглощение достигается уменьшением энергии излучения за счет компенсации примесей в активной области ( напр. Это приводит к тому, что в распределении плотности. [8]

Здесь примесные уровни е, ег, es не заняты и электроны могут переходить на них из заполненной зоны. Такой кристалл называется полупроводником акцепторного типа. [9]

Если примесные уровни, находясь в запрещенной зоне, выявляются источниками электронов, то сами примесные атомы, потерявшие электрон, становтся локализованными положительными ионами. [10]

Эти примесные уровни могут располагаться либо вблизи зоны проводимости, либо вблизи валентной зоны. В первом случае проводимость может возникнуть за счет возбуждения электронов примесных уровней, переходящих в зону проводимости, во втором случае - за счет образования дырок в валентной зоне при переходе электронов из валентной зоны на примесные уровни. [11]

Если примесные уровни близки к краю пустой зоны, то вследствие возбуждения электроны могут легко переходить с примесных уровней в зону, где они могут проводить. Такие примеси называются донорными примесями, или примесями n - типа. С другой стороны, если примесные уровни лежат вблизи края заполненной зоны и могут захватывать электроны, то, опять-таки вследствие возбуждения электроны легко покидают заполненную зону, в которой остаются дырки, способные проводить электрический ток. Такие примеси называются акцепторными примесями, или примесями р-типа. [13]

Расположение энергетических уровней электронов примесей. [14]

Такие примесные уровни называются донорными уровнями, а сами атомы примеси - донорами. [15]

Страницы: 1 2 3 4