Примесные уровни

Cтраница 4

Если нагревать кристалл - примесные уровни перестают играть роль из-за усиливающейся собственной проводимости, основное число электронов в зону проводимости поставляется уже зоной валентно сти, и уровень Ферми движется к середине запрещенной зоны, где он и должен быть у собственного полупроводника. [46]

В предлагаемой работе положение примесных уровней и ширины запрещенной зоны полупроводника определяются по энергиям, при которых начинаются подъемы кривой фототока. Такой способ определения пе отличается точностью, но полученные о его помощью результаты достаточно надежны. [47]

Однако такие условия заполнения примесных уровней доноров и акцепторов в полупроводниках почти никогда не реализуются. [48]

Помимо основных энергетических зон имеются примесные уровни, которые сообщают поверхности донорные или акцепторные свойства. [49]

Лишь при Д / 1 примесные уровни взаимодействуют между собой и начинают образовывать примесную зону. [50]

Туннельный диод. [51]

По мере увеличения концентрации примесей примесные уровни расширяются, и наступает такой момент, когда уровень у электронного полупроводника становится немного выше дна зоны проводимости, а уровень у дырочного полупроводника - немного ниже верха заполненной зоны. [52]

Некоторые примеси создают в полупроводниках примесные уровни, расположенные далеко от границ энергетических зон. Такие уровни называются глубокими. В кремнии и германии подобные уровни создают атомы золота, меди, марганца, железа и др. Эти уровни играют большую роль в протекании процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда. [53]

Уровни энергии электронов в полупроводниках. [54]

В зависимости от характера примесей примесные уровни могут быть донорньши или акцепторным... Донорные уровни образуются примесями, способными поставлять электроны в зону проводимости. Они располагаются вблизи нижней части этой зоны. Переход электронов с таких уровней в зону проводимости осуществляется значительно легче, чем из валентной зоны, так как для перехода с донорного уровня необходимо преодолеть лишь некоторую часть запрещенной зоны. Электро-проводность в данном случае возникает за счет электронов, перешедших в зону проводимости с донорных уровней. К ним относится, например, окись цинка, в которой роль донорных примесей играют избыточные атомы Zn в междуузлиях кристаллической решетки. [55]

Возможно также, что существуют возбужденные примесные уровни. По этой причине концентрация свободных носителей ( и, следовательно, вычисляемая из нее величина эффективной массы) может оказаться меньше вычисленной теоретически в предположении о существовании лишь основного примесного состояния. [56]

Следует обратить внимание на локальность примесных уровней. При увеличении их концентрации расстояние между примесными атомами уменьшится и при некоторой концентрации примеси станет возможным перекрытие орбит пятых электронов соседних атомов, произойдет их обобществление и примесные уровни сольются в примесную зону. [57]

Контакт между металлом и электронным полупроводником через химический барьерный слой. [58]

На рис. 514 показано положение примесных уровней и зональных границ до соприкосновения и после установления контакта в состоянии равновесия для случая электронного полупроводника. [59]

Страницы: 1 2 3 4