Cтраница 1
Высокие уровни инжекции характеризуются тем, что плотность инжектированных неосновных носителей в базе сравнима с плотностью основных носителей данной области. Если транзистор работает в нормальном активном режиме, то плотность электронов, инжектированных из эмиттера, от прз ( 0) на эмиттерной границе базы уменьшается до Прк ( О) коллекторной границы. [1]
Случай высоких уровней инжекции обычно рассматривается при некоторых упрощающих предположениях, Позволяющих линеаризовать задачу и тем самым сделать ее разрешимой. [2]
В случае высоких уровней инжекции электронная составляющая тока очень мала, и ею можно пренебречь. Уравнение (3.90) справедливо только в случае высоких уровней инжекции при прямом смещении. [3]
Уравнение (3.27) справедливо для высоких уровней инжекции, которые имеют место в базах включенного прибора. [4]
В результате рассмотрения структуры и характеристик планерного транзистора при работе в условиях низких и высоких уровней инжекции и различных транзисторных моделей приходим к выводу, что модели первого поколения, основанные на теории идеального транзистора ( модель Эберса и Молл а, зарядная модель, двухсекционная модель Лин-вилла), не могут быть использованы для анализа интегральных схем и других схем, включающих пленарные транзисторы без внесения коррективов. [5]
При плотностях токов /, соизмеримых или больших величины / гр, в базе достигаются средние и высокие уровни инжекции. [6]
Ввиду существования электрического поля в базе как вследствие градиента концентрации примесей в ней, так и вследствие высоких уровней инжекции носители через базу от эмиттера к коллектору перемещаются как в результате диффузии, так и дрейфа. [7]
Из описания модели следует, что она представляет собой нелинейную двумерную модель транзистора, которая учитывает такие явления, как эффект Эрли, высокие уровни инжекции, модуляцию сопротивлений базы и коллектора, паразитные диоды эмиттера и коллектора, расположенные в пассивной зоне транзистора. В то же время структура модели достаточна компактна и удобна для применения в универсальных машинных программах. [8]
Основное преимущество модели Гуммеля заключается в том, что в ней использовано выражение для IKK, приведенное ниже, в котором учитывается влияние высоких уровней инжекции. Это осуществляется через заряд избыточных носителей базы, входящий в формулу. [9]
Наличие электрического поля в базе планарного транзистора приводит к тому, что крутизна вольт-амперной характеристики 1К ( УЭ) уменьшается по мере возрастания тока коллектора при работе в режимах высоких уровней инжекции. Следовательно, - в модели транзистора должно быть отражено и это явление. [10]
Ферми и функции Ферми введено для состояния термодинамического равновесия. Поскольку инверсия заселенности является следствием очень высоких уровней инжекции, здесь мы имеем дело с явно выраженным неравновесным процессом, для которого мы можем пользоваться только понятием квазиуровней Ферми. [11]
В случае высоких уровней инжекции электронная составляющая тока очень мала, и ею можно пренебречь. Уравнение (3.90) справедливо только в случае высоких уровней инжекции при прямом смещении. [12]
Далее было рассмотрено отклонение характеристики реального р-п-перехода от ур-ния (3.58), которое мы считаем характеристикой идеального p - n - перехода. При обратном смещении было изучено явление пробоя, а при прямом смещении исследовано влияние высоких уровней инжекции. [13]
В этом случае также наблюдается квадратичная зависимость тока от напряжения, как и в случае очень высоких плотностей тока в полупроводниковых диодах с р-я-переходом. Такой вид ВАХ характерен для любых диодных структур в твердых телах, проводимость которых определяется дрейфом неравновесных носителей, вводимых из контактов, независимо от выполнения условия электронейтральности в области очень высоких уровней инжекции. [14]
Инжекционпый фотодиод представляет собой диод с длинной базовой областью из высокоомного полупроводника. Длина базы в несколько раз превышает длину диффузионного смещения неосновных носителей тока. Инжекционный фотодиод работает в режиме высоких уровней инжекции: проводимость базовой области определяется инжектированными носителями. [15]