Высокое уровни - инжекция
Cтраница 2
 |
Установление прямого сопротивления диода. [16] |
Ход рассуждения, приведенный выше, будет справедлив в том случае, если мы можем пренебречь эффектом модуляции сопротивления базы. Уменьшение сопротивления базы во времени должно привести к росту тока при неизменном напряжении. В том случае, если область базы является силыюлегированной, высоких уровней инжекции достичь трудно и эффект модуляции сопротивления базы пренебрежимо мал. [17]
Практика применения модификаций нелинейных одномерных моделей для машинного анализа различных транзисторных и интегральных схем показала, что во многих случаях эти модели позволяют получить удовлетворительные результаты. Однако не всегда удается правильно смоделировать условия работы планарного транзистора. Этим объясняется появление более совершенных моделей, учитывающих особенности ллаиарной структуры. К моделям нового поколения следует отнести модель Гуммеля - Пуна [13, 33], которая позволяет отразить работу активной зоны планарного транзистора в условиях высоких уровней инжекции. Среди моделей, описывающих двумерный характер явлений в транзисторе, имеются модели с распределенными цепями, а также более компактные модели с сосредоточенными параметрами. [18]
С ростом плотности эмиттерного тока генерационный компонент начинает быстро падать, а рекомбинационный достигает насыщения и оказывается пренебрежимо малым по сравнению с инжекционным компонентом. Эффективность эмиттера быстро возрастает и начинает определяться уже соотношением концентраций носителей в л - и р-обла-стях. Обратим внимание, что это справедливо для низких уровней инжекции. Этот случай, называемый случаем высоких уровней инжекции, будет рассмотрен ниже. [19]
Страницы: 1 2