Расщепленные уровни
Cтраница 2
Число таких подуровней для каждого атома определяется числом его ближайших соседей. Однотипные расщепленные уровни образуют в совокупности более или менее широкие энергетические зоны, слагающиеся из множества дозволенных квантовыми условиями подуровней. [16]
 |
Схема расположения зон в г. [17] |
Число таких подуровней для каждого атома определяется числом его ближайших соседей. Однотипные расщепленные уровни образуют в совокупности более или менее широкие энергетические зоны, слагающиеся из множества дозволенных квантовыми условиями подуровней. [18]
 |
Схема расщепления [ IMAGE ] - 65. Схема расположения зон. [19] |
Число таких подуровней для каждого атома определяется числом его соседей. Однотипные расщепленные уровни образуют в совокупности более или менее широкие энергетические зоны, слагающиеся из множества дозволенных квантовыми условиями подуровней. [20]
Число таких подуровней для каждого атома определяется числом его соседей. Однотипные расщепленные уровни образуют в совокупности более или менее широкие энергетические зон ы, слагающиеся из множества дозволенных квантовыми условиями подуровней. [21]
Различие в энергиях расщепленных уровней равно приблизительно 10 - - 10 - 2d эв. Совокупность расщепленных уровней энергии образует зону дозволенных ( разрешенных) уровней энергии. Зоны отделяются Друг от друга интервалами недозволенных значений энергии; такие интервалы энергии называются запрещенными зонами; электрон не может иметь уровней энергии, которые находятся внутри запрещенной зоны. [22]
Величина расщепления обычно значительно меньше, чем показано на рисунке. Следует отметить, что компоненты расщепленных уровней либо положительны, либо отрицательны. [23]
После того как теория эффективной массы была сформулирована [1140] и успешно применена для расчета возбужденных состояний донорных центров в многодолинных полупроводниках типа Si или Ge [984], задача о долинном расщеплении этих уровней продолжала оставаться спорной и нерешенной. Было предпринято много попыток объяснить энергию связи расщепленных уровней, которые в теории эффективной массы являются изначально вырожденными, но ни одна из них не стала окончательной. Особенно широко использовались предложенная Тузом так называемая многодолинная теория эффективной массы ( см. приложение в работе [580]) и ее аналоги, которые приводили к значениям долинного расщепления, находящимся, по-видимому, в разумном согласии с экспериментальными данными по донор-ным состояниям в Si и Ge. [24]
Фактически при переходах с уровней d на уровень 2р излучаются три линии, поскольку изображенный штриховой линией переход запрещен правилами отбора. Однако две линии, получающиеся при переходе с двух расщепленных уровней d на один и тот же уровень р, расположены весьма близко друг к другу и практически сливаются. Благодаря этому они воспринимаются как одна размытая линия. Расщепление же между парой линий и ОДИНОЧНОЙ линией значительно. [25]
 |
Кривые спектрального поглощения образцов синтетического аметиста. [26] |
Сложнее обстоит дело с природой поглощения в области 930 нм. По-видимому, оно связано преимущественно с электронными переходами с расщепленных уровней состояния ЬТ для междуузельного Fe2 ( 3d6) на подуровни единственного квинтетного состояния ЪЕ. Такие ионы могут образоваться путем захвата электронов, возникающих при образовании ионов F4 в процессе облучения. [27]
Другая модель, которую можно Попытаться приме - - нить к Nb3Sn, была предложена Эллиотом [15] для объяснения аномального поведения удельного сопротивления редкоземельных металлов. В этом случае потенциал иона зависит от того, насколько засе-лены расщепленные уровни в незаполненной оболочке. Поскольку электроны внутренних оболочек сильно связа-ны, то можно считать, что они не взаимодействуют друг с другом в соседних атомах. Следовательно, заселен-ность каждого уровня равномерно распределена в кри-сталле. [28]
Что касается вырождения, то расщепление качественно оказывается таким же, как и в октаэдрическом поле. Величина тетраэдрического расщепления составляет четыре девятых от октаэдрнческого, причем последовательность расщепленных уровней является обратной. [29]
Однако кристаллы этих веществ не являются изоляторами ( диэлектриками) и хорошо проводят ток, как металлы. При сближении атомов бериллия и других элементов II группы до расстояния, равного параметру решетки d0, расщепленные уровни s - и р-состояний перекрывают друг друга ( рис. 70, б) и образуют объединенную зону sp - состояний, в которой имеется 8N мест. Таким образом, верхняя sp - зона имеет только / 4 занятых мест в кристаллах элементов II группы, 3Д мест остаются свободными. Поэтому указанные вещества имеют металлическую проводимость. У других металлов тоже только частично заполнена электронами верхняя ( валентная) энергетическая зона. [30]
Страницы: 1 2 3